郑若川

作品数：5被引量：6H指数：2
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发文主题：晶圆ALN绝缘层晶圆片原状更多>>
发文领域：电子电信理学金属学及工艺更多>>
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CFD模拟RPCVD的正交法优化设计与分析被引量：3
《西安电子科技大学学报》2013年第4期72-78,共7页戴显英 郭静静 邵晨峰 郑若川 郝跃 
国家重点基础研究(973)资助项目(6139801-1)
采用正交法对减压化学气相淀积生长SiGe材料的多因素、多水平计算流体动力学模拟进行优化设计.采用FLUENT软件,对正交优化设计的试验进行了密度、速度及压强分布的模拟.对生长表面9点位置处的模拟结果进行了极差和方差分析,得到了最终...
关键词：正交法 计算流体动力学 减压化学气相淀积 锗硅 
应变Ge空穴有效质量的各向异性与各向同性被引量：1
《物理学报》2012年第23期404-409,共6页戴显英 杨程 宋建军 张鹤鸣 郝跃 郑若川 
国家重点基础研究发展计划(批准号:6139801-1)资助的课题~~
在利用k·p微扰理论获得应变Ge/Si_(1-x)Ge_x价带E(k)-k关系的基础上,研究得到了(001),(101),(111)面应变Ge/Si_(1-x)Ge_x沿不同晶向及各向同性的价带空穴有效质量.结果显示,应变Ge/Si_(1-x)Ge_x沿各晶向的带边有效质量随应力增大而减小...
关键词：应变Ge/Si_1-xGe_x 空穴有效质量 价带结构各向异性与各向同性 
弛豫锗硅减压化学气相淀积的CFD模型及仿真被引量：1
《西安电子科技大学学报》2012年第5期186-191,共6页戴显英 郑若川 郭静静 张鹤鸣 郝跃 邵晨峰 吉瑶 杨程 
国家重点基础研究发展计划(973)资助项目(6139801-1)
基于SiGe材料化学气相淀积(CVD)生长原理,针对减压化学气相淀积(RPCVD)系统,建立了弛豫锗硅RPCVD的计算流体动力学仿真模型及相应的流体模型,采用Fluent软件对流量、压强、基座转速等工艺参数对反应室中气体密度场和速度场的影响进行了...
关键词：弛豫锗硅 减压化学气相淀积 计算流体动力学模型 密度分布 
应变Ge/Si_(1-x)Ge_x价带色散模型
《物理学报》2012年第13期387-393,共7页戴显英 杨程 宋建军 张鹤鸣 郝跃 郑若川 
国家重点基础研究发展计划(批准号:61398)资助的课题~~
基于k·p微扰理论,通过引入应变哈密顿量作为微扰,建立了双轴应变Ge/Si_(1-x)Ge_x价带色散关系模型.模型适于任意晶向弛豫Si_(1-x)Ge_x虚衬底上的应变Ge价带结构,通过该模型可获得任意k方向应变Ge的价带结构和空穴有效质量.模型的Matla...
关键词：应变Ge 价带结构 k·p理论 色散关系模型 
机械致单轴应变SOI晶圆的制备被引量：2
《西安电子科技大学学报》2012年第3期209-212,共4页戴显英 王琳 杨程 郑若川 张鹤鸣 郝跃 
国家重点基础研究发展计划(973)资助项目(6139801-1)
提出了一种晶圆级单轴应变绝缘层上硅(SOI)的新方法,并阐述了其工艺原理.将直径为100mm(4英寸)的SOI晶圆片在曲率半径为0.75m的弧形弯曲台上进行机械弯曲,弯曲状态下的SOI晶圆片在250℃下进行了20h的热退火处理.对弯曲退火后SOI晶圆片...
关键词：绝缘层上硅 单轴应变 机械弯曲 弹塑性力学 
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