夏晓宇

作品数：5被引量：15H指数：3
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供职机构：长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室更多>>
发文主题：钝化GAASZEMAXPL光致发光更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程更多>>
发文期刊：《发光学报》《长春理工大学学报（自然科学版）》《光电子．激光》更多>>
所获基金：吉林省科技发展计划基金国家自然科学基金更多>>
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GaAs半导体表面的S-N混合等离子体钝化及在激光器工艺上的应用被引量：2
《光电子．激光》2017年第2期143-146,共4页许留洋 高欣 袁绪泽 夏晓宇 曹曦文 乔忠良 薄报学 
国家自然科学基金(61176048;61177019;61308051);吉林省科技发展计划(20150203007GX;20130206016GX);中物院高能激光重点实验室基金(2014HEL01)资助项目
利用射频(RF)等离子方法,对GaAs半导体表面进行了S-N混合等离子体钝化实验,并对工作压强、RF功率进行了优化。光致发光(PL)测试结果表明,经过S-N混合等离子体钝化的GaAs样品PL强度提高135%。将本文钝化方法应用到980nm波长InGaAs应变量...
关键词：GAAS COD 光致发光(PL) 钝化 
高亮度小芯径半导体激光器光纤耦合设计被引量：5
《长春理工大学学报（自然科学版）》2017年第1期7-9,共3页曹曦文 高欣 许留洋 夏晓宇 乔忠良 王宪涛 薄报学 
国家自然科学基金(61176048;61177019;61308051);吉林省科技发展计划(20150203007GX;20130206016GX);中物院高能激光重点实验室基金(2014HEL01)资助项目
为了获得高亮度的半导体激光器,采取6只单管半导体激光器芯片进行等光程排列,波长为940nm,芯片腔长3.5mm,发光区尺寸1μm×30μm,快轴发散角30°,慢轴发散角10°,功率为6W。设计光学系统,使合束光束BPP_(laser)
关键词：半导体激光器 高亮度 小芯径 耦合 ZEMAX 
基于单发光区芯片的大功率光纤耦合激光器的输出远场特征分析被引量：5
《发光学报》2017年第2期170-176,共7页夏晓宇 高欣 许留洋 曹曦文 乔忠良 王宪涛 薄报学 
国家自然科学基金(61176048;61177019;61308051);吉林省科技发展计划(20150203007GX;20160203017GX);中物院高能激光重点实验室基金(2014HEL01)资助项目~~
为研究光纤耦合激光器的输出远场特征,基于ZEMAX光学设计软件,模拟了基于单发光区激光器芯片的多种光纤耦合结构,分析了不同耦合结构的输出远场特征。模拟结果表明:单管耦合输出远场分布通常为中间亮、边缘暗的圆形光斑。当准直后的光...
关键词：单发光区激光器 ZEMAX 光纤耦合 远场特性 
射频等离子硫钝化GaAs(100)的表面特性被引量：1
《发光学报》2016年第5期556-560,共5页许留洋 高欣 袁绪泽 夏晓宇 曹曦文 乔忠良 薄报学 
国家自然科学基金(61176048;61177019;61308051);吉林省科技发展计划(20150203007GX;20130206016GX);中物院高能激光重点实验室基金(2014HEL01)资助项目
采用射频等离子方法,对Ga As(100)衬底片表面进行干法硫等离子体钝化,旨在得到性能稳定含硫钝化层。样品经过360℃温度条件下的快速热退火,光致发光(PL)测试表明,钝化后的样品PL强度上升了71%。同时,钝化样品的稳定性测试结果表明,样品...
关键词：射频等离子体 光致发光 钝化 GAAS 
GaAs半导体表面的等离子氮钝化特性研究被引量：4
《发光学报》2016年第4期428-431,共4页许留洋 高欣 袁绪泽 夏晓宇 曹曦文 乔忠良 薄报学 
国家自然科学基金(61176048;61177019;61308051);吉林省科技发展计划(20150203007GX;20130206016GX);中物院高能激光重点实验室基金(2014HEL01)资助项目
采用射频(RF)等离子方法,对Ga As样品进行了150 W高功率等离子氮钝化及快速退火处理。经过该方法钝化后的样品,光致发光(PL)强度上升了91%。XPS分析得出,Ga As样品表面的氮化效果随着氮等离子体功率的增加而逐渐趋于明显。氮化后的样品...
关键词：等离子 XPS PL GAAS 
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