张婷婷

作品数：1被引量：3H指数：1
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供职机构：西安电力电子技术研究所更多>>
发文主题：穿通关断时间阻断电压通态压降通流能力更多>>
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特高压晶闸管p^-层穿通和p^+层发射极结构设计被引量：3
《半导体技术》2014年第10期752-757,共6页高山城 罗艳红 张婷婷 赵卫 高飞 李翀 
国家科技支撑计划(2006BAA02A26)
基于传统晶闸管单扩散p层杂质浓度分布很难协调阻断电压、通流能力、通态压降、反向恢复电荷和关断时间之间的矛盾,无法使特高压晶闸管的通流能力由4 000 A提高到4 500 A。对特高压晶闸管采用低浓度p-层穿透、高浓度p+层发射极结构设计...
关键词：阻断电压 通流能力 通态压降 反向恢复电荷 关断时间 
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