罗艳红

作品数：3被引量：3H指数：1
导出分析报告
供职机构：西安电力电子技术研究所更多>>
发文主题：晶闸管掺杂特高压直流输电特高压穿通更多>>
发文领域：电子电信电气工程更多>>
发文期刊：《半导体技术》《价值工程》更多>>
所获基金：国家科技支撑计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-3
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
特高压晶闸管p^-层穿通和p^+层发射极结构设计被引量：3
《半导体技术》2014年第10期752-757,共6页高山城 罗艳红 张婷婷 赵卫 高飞 李翀 
国家科技支撑计划(2006BAA02A26)
基于传统晶闸管单扩散p层杂质浓度分布很难协调阻断电压、通流能力、通态压降、反向恢复电荷和关断时间之间的矛盾,无法使特高压晶闸管的通流能力由4 000 A提高到4 500 A。对特高压晶闸管采用低浓度p-层穿透、高浓度p+层发射极结构设计...
关键词：阻断电压 通流能力 通态压降 反向恢复电荷 关断时间 
特高压晶闸管掺杂技术研究
《价值工程》2014年第17期47-48,共2页高山城 罗艳红 张琦 吴飞鸟 高飞 
科技部技术开发专项研究课题:特高压晶闸管高寿命;高均匀性掺杂技术研究(2008EG119124)
特高压晶闸管半导体芯片主要通过掺杂技术形成。高均匀性、高寿命掺杂技术是获得高品质特高压晶闸管的根本保证。本文通过一系列大胆的创新方法和先进"6σ设计[1]"的控制措施,成功研制了世界上首只6英寸4000A/8000V特高压晶闸管,并成功...
关键词：晶闸管 掺杂技术 特高压直流输电 6σ设计 
光控晶闸管的集成BOD转折电压
《半导体技术》2014年第6期414-418,共5页高山城 罗艳红 吴飞鸟 李玉玲 高飞 
介绍了新型光控晶闸管,其集成了一个非常重要的电气功能,即正向过压保护功能。通过在光控晶闸管光敏区内集成转折二极管(BOD),实现光控晶闸管正向保护功能。如果集成BOD转折电压太高,不能有效保护晶闸管;若转折电压太低,则达不到光控晶...
关键词：光控晶闸管(LTT) 光敏区 转折二极管(BOD) 正向保护 转折电压 特高压直流输电(UHVDC) 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部