李翀

作品数：4被引量：3H指数：1
导出分析报告
供职机构：西安电力电子技术研究所更多>>
发文主题：晶闸管穿通关断时间阻断电压通态压降更多>>
发文领域：电子电信电气工程更多>>
发文期刊：《各界》《半导体技术》更多>>
所获基金：国家科技支撑计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-4
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
串联晶闸管均压问题分析
《各界》2019年第8期168-168,共1页白雪 马艳 李翀 
利用耐压较高的晶闸管构成的主电路可以提高电力电子软启动器,变频器的电压等级。对于更高电压等级的应用,必然涉及晶闸管的串联。提高电压等级可以采用器件串联的技术,包括有组件级串联和装置级串联,我们一般采用但是器件级串联,如果...
关键词：串联晶闸管 分压不均 原因 措施 
晶闸管对di/dt耐受性研究
《各界》2019年第6期170-170,共1页白雪 马艳 李翀 
晶闸管通态电流上升率di/dt会损坏晶闸管,本文就对此种机理进行了介绍并分析了提高晶闸管器件通态di/dt耐量的设计与工艺。
关键词：晶闸管 DI/DT 通态 损坏 防止 措施 
浅析晶闸管整流器过电流保护
《各界》2018年第18期186-186,共1页李翀 
整流器中的晶闸管在承受过电流和电压能力较差，毫秒级的过电压和电流有可能造成晶闸管的损坏，在实践工作中引用整流器要充分考虑到晶闸管的安全裕量外还应该采取多种保护措施确保整流器的顺利运行。
关键词：晶闸管 过电流 保护 快速熔断 
特高压晶闸管p^-层穿通和p^+层发射极结构设计被引量：3
《半导体技术》2014年第10期752-757,共6页高山城 罗艳红 张婷婷 赵卫 高飞 李翀 
国家科技支撑计划(2006BAA02A26)
基于传统晶闸管单扩散p层杂质浓度分布很难协调阻断电压、通流能力、通态压降、反向恢复电荷和关断时间之间的矛盾,无法使特高压晶闸管的通流能力由4 000 A提高到4 500 A。对特高压晶闸管采用低浓度p-层穿透、高浓度p+层发射极结构设计...
关键词：阻断电压 通流能力 通态压降 反向恢复电荷 关断时间 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部