张满红

作品数：4被引量：5H指数：1
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发文主题：TCAD沟槽式电学特性4H-SICPIN二极管更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《数字技术与应用》《现代电子技术》《固体电子学研究与进展》更多>>
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一种基于gm/I_D参数的运算放大器设计方法
《数字技术与应用》2019年第12期164-164,166,共2页韩志敏 张满红 
国家自然科学基金面上项目(61372050)
介绍一种基于gm/I_D参数的模拟集成电路设计优化方法,通过建立gm/I_D参数与栅源电压和标准化电流查找表,能够快速确定器件参数,简化计算,缩短设计周期。与传统设计方法相比具有适用于MOS管所有工作区域、满足低功耗要求等优点。基于Cade...
关键词：运算放大器 跨导电流比 标准化电流 厄利电压 模拟集成电路 
4H-SiC PIN二极管的正向特性计算模型被引量：1
《固体电子学研究与进展》2019年第2期86-90,共5页张满红 曹正春 
提出了一种基于双极性扩散方程的PIN二极管的一维物理计算模型。该模型主要针对PIN二极管的正向温度特性研究,考虑了载流子扩散系数、载流子迁移率、禁带变窄效应、载流子寿命随温度变化的影响。介绍了双极性扩散方程的傅里叶级数解,利...
关键词：4H-SIC PIN 正向特性 温度特性 SILVACO 
沟槽式FS-IGBT各部分对其性能的影响研究被引量：4
《现代电子技术》2018年第14期5-9,共5页张满红 邹其峰 
国家自然科学基金(61176080)~~
沟槽式FS-IGBT是当前IGBT中最为先进的结构,它结合PT-IGBT和NPT-IGBT各自的优点,具有较薄的N-区以及FS场截止层,能够使导通压降更低并且可以有效减少关断时间和关断损耗。主要通过仿真软件Sentaurus TCAD对FS-IGBT进行工艺与电学特性仿...
关键词：FS-IGBT Sentaurus TCAD 结构仿真 电学特性 性能影响 导通电压 
亚阈值状态下MOSFET二维双区和单区静电势模型的比较
《现代电子技术》2017年第10期128-132,137,共6页张满红 袁至衡 
国家自然科学基金资助项目(61176080)
定义一个平均误差,该误差可以估算求解MOSFETs二维双区和单区静电势模型电势分布所用源漏端边界条件的偏差情况。首先根据长沟道模型近似确定衬底耗尽层厚度,通过平均误差计算发现双区模型最大源漏偏差远小于0.06 V,而单区模型相应的源...
关键词：单区模型 双区模型 特征函数 边界条件 平均误差 
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