隆艳

作品数:1被引量:8H指数:1
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供职机构:中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
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发文领域:电子电信更多>>
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不同键合温度对低温硅-硅共晶键合的影响被引量:8
《微纳电子技术》2013年第9期576-580,共5页陈颖慧 施志贵 郑英彬 隆艳 王旭光 
中国工程物理研究院超精密加工技术重点实验室课题资助项目(2012CJMZZ00003;2012CJMZZ00006)
选取Ti/Au作为金属过渡层来实现低温硅-硅共晶键合。首先介绍了共晶键合的基本原理,分析了选择金-硅共晶键合的原因,设计了单面溅金、双面溅金以及不同温度下的硅-硅共晶键合实验。采用超声波显微镜对键合样品内部空洞缺陷进行了测试,...
关键词:键合 共晶 低温 超声波显微镜 键合强度 键合质量检测 
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