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MOSFET集约模型的发展被引量：2
《固体电子学研究与进展》2010年第2期192-198,共7页伍青青 陈静 罗杰馨 肖德元 王曦 
MOSFET集约模型作为连接半导体生产商与电路设计者之间的桥梁,是半导体行业不可或缺的一环。随着对器件物理效应的不断深入了解,以及不断满足电路设计新要求,MOSFET集约模型经历了长时间的发展。从模型的基础出发,介绍了基于阈值电压Vt...
关键词：场效应晶体管 集约模型 BSIM模型 HiSIM模型 PSP模型 
一种折叠式共源共栅运算放大器的准确设计方法被引量：2
《电子科技》2023年第3期50-54,68,共6页王嘉奇 吕高崇 郭裕顺 
国家自然科学基金(60672013)。
传统折叠式共源共栅放大器的人工设计流程只能得到近似的设计结果,优化方法获得的结果较好,但需耗费大量计算。文中针对这类放大器,给出了一种准确设计方法。通过SPICE仿真弥补传统设计流程各性能指标解析近似产生的误差,同时采用基于B...
关键词：模拟IC设计 运算放大器 模拟设计自动化 电路优化设计 器件尺寸 BSIM模型 共源共栅放大器 迭代设计方法 
基于BSIM深亚微米级MOSFET短沟道效应建模和特征提取方法研究被引量：2
《电子学报》2004年第5期841-844,共4页赵阳 Parke Stephen Burke Franklyn 
江苏省自然科学基金(No.BK2003099);教育部留学回国人员科研启动基金(No.教外司[2003]406);部分受美国国家自然科学基金(No.EPS9977454)
本文基于BSIM标准研究了现代深亚微米级MOSFET器件的建模和特征提取方法 ,着重在于短沟道效应方面 ,其中测试样品由MicronTM公司提供 ,最短沟道长度仅为 0 16微米 .内容包括一般短沟道效应、基板效应和漏极感应势垒降低效应 (简称DIBL...
关键词：MOSFET器件 建模与特征提取 短沟道效应 BSIM模型 
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