氮化硼薄膜的制备和离子注入掺杂  

Deposition and Ion Implantation of Boron Nitride Film

作　　者：邓金祥[1] 陈浩[1] 刘钧锴[1] 田凌[1] 张岩[1] 周涛[1] 何斌[1] 陈光华[1] 王波[1] 严辉[1] 

机构地区：[1]北京工业大学应用数理学院,北京,100022 北京工业大学应用数理学院,北京,100022 北京工业大学材料学院,北京,100022 兰州大学物理学院,兰州,730000 北京工业大学应用数理学院,北京,100022 北京工业大学应用数理学院,北京,100022 北京工业大学材料学院,北京,100022 北京工业大学材料学院,北京,100022 北京工业大学材料学院,北京,100022 北京工业大学材料学院,北京,100022

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第z1期127-130,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:60376007)

摘　　要：通常人们对氮化硼薄膜的S掺杂,采用的是在氮化硼制备过程中就地掺杂的方法,文中则采用S离子注入方法.氮化硼薄膜用射频溅射法制得.实验结果表明,在氮化硼薄膜中注入S,可以实现氮化硼薄膜的n型掺杂;随着注入剂量的增加,氮化硼薄膜的电阻率降低.真空退火有利于氮化硼薄膜S离子注入掺杂效果的提高.在离子注入剂量为1×1016cm-2时,在600℃的温度下退火60min后,氮化硼薄膜的电阻率为2.20×105 Ω·cm,比离子注入前下降了6个数量级.

关 键 词：氮化硼薄膜 N型掺杂 离子注入 

分 类 号：O472[理学—半导体物理]