硅的干法刻蚀简介  

作　　者：葛强 

机构地区：[1]应用材料中国

出　　处：《集成电路应用》2008年第4期48-48,共1页Application of IC

摘　　要：随着硅栅MOS器件的出现，多晶硅渐渐成为先进器件材料的主力军。除了用作MOS栅极之外多晶硅还广泛应用于DRAM的深沟槽电容极扳填充，闪存工艺中的位线和字线。这些工艺的实现都离不开硅的干法刻蚀技术其中还包括浅槽隔离的单晶硅刻蚀和金属硅化物的刻蚀。为了满足越来越苛刻的要求，业界趋向于采用较低的射频能量并能产生低压和高密度的等离子体来实现硅的干法刻蚀。感应耦合等离子刻蚀技术（ICP）被广泛应用于硅及金属硅化物刻蚀，具有极大技术优势和前景。

关 键 词：干法刻蚀 硅栅 MOS器件 金属硅化物 刻蚀技术 等离子体 沟槽电容 DRAM 

分 类 号：TN405.98[电子电信—微电子学与固体电子学] TN432