北京市自然科学基金(4062017)

作品数：5被引量：6H指数：1
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Influence of applied electric field on the absorption coefficient and subband distances in asymmetrical AlN/GaN coupled double quantum wells
《Chinese Physics B》2009年第9期3905-3908,共4页岑龙斌 沈波 秦志新 张国义 
supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos 60806042,10774001,60736033,60890193 and 60628402);National Basic Research Program of China (Grant Nos 2006CB604908 and 2006CB921607);the Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education in China (Grant Nos 200800011021 and 20060001018);Beijing Natural Science Foundation (Grant No 4062017)
The influence of applied electric fields on the absorption coefficient and subband distances in asymmetrical A1N/GaN coupled double quantum wells （CDQWs） has been investigated by solving SchrSdinger and Poisson equa...
关键词：A1N/GaN CDQWs electrical-optical modulator intersubband transition 
Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中二维电子气的自旋性质
《微纳电子技术》2009年第2期65-69,共5页唐宁 沈波 韩奎 
国家重点基础研究发展规划项目(2006CB604908;2006CB921607);国家自然科学基金(60806042;10774001;60736033;60628402);教育部博士点基金(20060001018);北京市自然科学基金(4062017)
Ⅲ族氮化物材料有很长的电子自旋弛豫时间以及很高的居里温度,成为近年来半导体自旋电子学研究的重要材料体系之一。介绍了目前两种最主要的研究AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)自旋性质的物理效应:磁电阻的舒伯尼科夫-德哈斯...
关键词：Ⅲ族氮化物半导体 异质结构 二维电子气 自旋 磁输运 
Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中2DEG的塞曼自旋分裂
《半导体技术》2008年第S1期147-149,共3页唐宁 沈波 韩奎 卢芳超 许福军 秦志新 张国义 
国家"973"重点基础研究项目(2006CB604908;2006CB921607);国家自然科学基金(60806042;10774001;60736033;60628402);教育部博士点基金(200800011021;20060001018);北京市自然科学基金(4062017)
通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂Al0.24Ga0.76N/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象。在强磁场下观察到了表征2DEG塞曼自旋分裂的舒勃尼科夫-德哈斯(SdH)振荡的分裂峰。通过分析SdH分裂峰的位置,获得了...
关键词：AlxGa1-xN/GaN异质结构 二维电子气 自旋 
AlxGa1-x N／GaN双量子阱的结构和掺杂浓度对子带间跃迁波长和吸收系数的影响被引量：5
《物理学报》2008年第4期2386-2391,共6页雷双瑛 沈波 张国义 
国家自然科学基金(批准号:60325413);国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB604908);教育部科学技术研究重大项目(批准号:705002);北京市自然科学基金(批准号:4062017)资助的课题~~
用薛定谔方程和泊松方程自洽计算的方法研究了Al0.75Ga0.25N/GaN对称双量子阱(DQWs)中子带间跃迁(ISBT)的波长和吸收系数对中间耦合势垒高度、中间耦合势垒宽度、势阱宽度和势垒掺杂浓度的依赖关系.研究发现,第一奇序子带S1ood与第二偶...
关键词：自洽 Alx Ga1-x N/GaN双量子阱 子带间跃迁 
高Al组分Al_xGa_(1-x)N薄膜的弹性-塑性力学性质被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第10期1551-1554,共4页许福军 沈波 王茂俊 许谏 苗振林 杨志坚 秦志新 张国义 蔺冰 白树林 
国家自然科学基金(批准号:60325413;60628402);国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB604908;2006CB921607);教育部科技创新工程重大项目培育基金(批准号:705002);北京市自然科学基金(批准号:4062017)资助项目~~
采用纳米压痕方法,研究了AlN/spphire模板上的高Al组分AlxGa1-xN薄膜的力学性质,特别是弹性-塑性转变行为.研究表明,AlxGa1-xN薄膜的杨氏模量E随着Al组分的增加而增大,薄膜中产生塑性形变所必要的剪切应力也随着Al组分的增加而增大.在Al...
关键词：AlxGa1-xN薄膜 杨氏模量 力学性质 塑性形变 
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