国家自然科学基金(60476026)

作品数：5被引量：8H指数：2
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相关机构：长春理工大学吉林师范大学柳州职业技术学院中国科学院更多>>
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脉冲阳极氧化工艺制作GaAs/AlGaAs宽条形半导体激光器
《功能材料与器件学报》2008年第5期859-863,共5页魏星 乔忠良 薄报学 陈静 张苗 王曦 
国家自然科学基金(60476026);(60477010);高功率半导体激光国家重点实验室基金(05ZS3606)
研究了脉冲阳极氧化工艺的特性,并利用脉冲阳极氧化工艺制作出激射波长为776nm的宽条形半导体激光器,器件阈值电流为0.35A,斜率效率为1.12W/A,与常规工艺制作的器件相比阈值电流降低了22%,斜率效率提高了18%。
关键词：湿法刻蚀 脉冲阳极氧化 斜率效率 
直流磁控溅射制备a-Si：H膜工艺及其在激光器腔面膜上的应用被引量：3
《中国激光》2008年第3期436-439,共4页刘春玲 么艳平 王春武 王玉霞 薄报学 
国家自然科学基金(60477010,60476026)资助项目
利用直流(DC)磁控溅射方法制备氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜。研究了氢气流量、溅射源功率对膜的沉积速率、氢含量(CH)以及光学性能的影响。通过傅里叶变换红外(FTIR)吸收光谱计算氢含量,其最大原子数分数为11%。用椭偏仪测量了膜的折射率n...
关键词：薄膜 氢化非晶硅 半导体激光器 椭偏仪 折射率 消光系数 
硫化的激光器腔面上溅射ZnS钝化膜的研究被引量：2
《光电子．激光》2008年第1期14-16,共3页刘春玲 王春武 么艳平 薄报学 
国家自然科学基金资助项目(60477010,60476026)
提出了一种新的激光器腔面钝化方法。先用(NH4)2S溶液硫化解理后的激光器腔面,然后使用磁控溅射方法对激光器的前腔面镀ZnS钝化膜、后腔面镀Si/SiO2高反射膜。ZnS钝化层光学厚度为λ/4,在中心波长为808nm处透过率可达95.5%。钝化前激光...
关键词：半导体激光器 光学灾变损伤(COD) 钝化 硫化 ZNS 
基于89C51的IC卡读写器设计与实现被引量：3
《微计算机信息》2006年第08Z期122-124,共3页欧全梅 
国家自然科学基金编号:60476026
本文主要介绍了一种新型的IC卡读写终端的设计,IC卡读写终端是一个单片机嵌入式应用系统。论文从IC卡的国际标准入手,介绍了实现IC卡数据存储的控制方法,并以西门子公司的SLE4442型逻辑加密卡为基础,详细分析了单片机控制IC卡数据读写...
关键词：89C51 IC卡 嵌入式 串口 
高性能高应变InGaAs量子阱脊型波导半导体激光器
《中国科学（E辑）》2006年第3期341-346,共6页曲轶 J.X.Zhang A.Uddin S.M.Wang M.Sadeghi A.Larsson 薄报学 刘国军 姜会林 
国家自然科学基金(批准号:60476026和60477010);高功率半导体激光国家重点实验室基金(批准号:03ZS3603和04ZS3601);Singapore Millennium Foundation资助项目
介绍了利用分子束外延系统生长高应变InGaAs量子阱半导体激光器材料,采用脉冲阳极氧化技术制作脊型波导半导体激光器.4μm条宽脊型波导半导体激光器在室温下单面连续输出功率达到50mW.腔长600μm时,器件阈值电流密度为300A/cm2.在100mA...
关键词：高应变 InGaAs量子阱 脊型波导激光器 
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