国家重点基础研究发展计划(2001CB610601)

作品数：5被引量：14H指数：2
导出分析报告
相关作者：韩秀峰詹文山曾中明魏红祥杜关祥更多>>
相关机构：中国科学院北京有色金属研究总院北京工业大学更多>>
相关期刊：《物理学报》更多>>
相关主题：磁性隧道结隧穿磁电阻磁随机存储器硅衬底热氧化更多>>
相关领域：理学电子电信化学工程自动化与计算机技术更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-5
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
磁随机存储器中垂直电流驱动的磁性隧道结自由层的磁化翻转被引量：1
《物理学报》2006年第2期860-864,共5页彭子龙 韩秀峰 赵素芬 魏红祥 杜关祥 詹文山 
中国科学院知识创新工程重大课题;国家科技部973基础研究专项(批准号:2001CB610601);国家杰出青年基金(批准号:50325104);国家自然科学基金(批准号:10274103)资助的课题.~~
在基于磁性隧道结(Magnetic Tunneling Junction,MTJ)的磁随机存储器(Magnetoresistantive Random Access Memory,MRAM)中利用通过MTJ的垂直电流,实现信息写入的新方法,同时给出了基于此新方法的一种新的MRAM结构和驱动原理图,并分析了...
关键词：垂直电流 磁性隧道结 磁随机存储器 
成分调制的La_(1-x)Sr_xMnO_3复合隧道结被引量：5
《物理学报》2005年第10期4903-4908,共6页于敦波 丰家峰 杜永胜 韩秀峰 严辉 应启明 张国成 
北京市自然科学基金(批准号:2021003);科技部重大基础研究前期研究专项(批准号:2002CCC01300);国家973基础研究专项(批准号:2001CB610601);国家杰出青年基金(批准号:50325104);国家自然科学基金中国爱尔兰重大国际合作项目(批准号:50271081);国家自然科学基金(批准号:10274103)资助的课题.~~
利用磁控溅射和Sr成分的调制以及原位热处理方法,在10mm×10mm大小的(001)取向SrTiO3单晶衬底上制备出三明治结构为La0·7Sr0·3MnO3(100nm)/La0·96Sr0·04MnO3(5nm)/La0·7Sr0·3MnO3(100nm)的隧道结外延薄膜,然后再次利用磁控溅射方...
关键词：LA1-XSRXMNO3 半金属 成分调制 复合磁性隧道结 隧穿磁电阻 磁性隧道结 调制 成分 复合 金属氧化物 
高磁电阻磁性隧道结的几种微制备方法研究
《物理学报》2005年第8期3831-3838,共8页李飞飞 张谢群 杜关祥 王天兴 曾中明 魏红祥 韩秀峰 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2001CB610601);国家杰出青年科学基金(批准号:50325104);国家自然科学基金(批准号:10274103)资助的课题.~~
利用金属掩模法优化了制备磁性隧道结的实验和工艺条件,金属掩模的狭缝宽度为100μm.采用4nm厚的Co75Fe25为铁磁电极和1·0或0·8nm厚的铝氧化物为势垒膜,直接制备出了室温隧穿磁电阻(TMR)为30%—48%的磁性隧道结,其结构为Ta(5nm)/Cu(25...
关键词：磁性隧道结 制备方法 动态随机存储器 隧穿磁电阻 离子束刻蚀 工艺条件 铝氧化物 铁磁电极 狭缝宽度 直接制备 化学反应 光刻技术 M-20 研究结果 工艺方法 传感器件 TMR 掩模法 室温 低电阻 小尺寸 金属 打孔 刻槽 势垒 
双势垒磁性隧道结的磁电阻效应及其在自旋晶体管中的应用被引量：1
《物理学报》2005年第7期3351-3356,共6页曾中明 韩秀峰 杜关祥 詹文山 王勇 张泽 
国家重点基础研究发展规划项目(批准号:2001CB610601);中国科学院知识创新工程;国家自然科学基金(批准号:50271081;10274103);国家杰出青年基金(批准号:50325104)资助的课题.~~
利用磁控溅射方法沉积双势垒磁性隧道结多层膜,其中Al_O势垒层由等离子体氧化1nm厚的金属铝膜方式制备,然后采用深紫外光曝光和Ar离子刻蚀技术、微加工制备出长短轴分别为6和3μm大小的椭圆形双势垒磁性隧道结(DBMTJ),并在室温和低温下...
关键词：磁性隧道结 自旋晶体管 双势垒 磁电阻效应 应用 等离子体氧化 电子输运特性 隧穿磁电阻 磁控溅射 刻蚀技术 加工制备 隧穿效应 振荡现象 直流电流 外加偏压 多层膜 势垒层 紫外光 椭圆形 低电阻 TMR 高电阻 室温 短轴 
4英寸热氧化硅衬底上磁性隧道结的微制备被引量：7
《物理学报》2004年第11期3895-3901,共7页王天兴 魏红祥 李飞飞 张爱国 曾中明 詹文山 韩秀峰 
国家重点基础研究发展规划项目 (批准号 :2 0 0 1CB610 60 1);国家杰出青年基金 (批准号 :5 0 3 2 5 0 14 );国家自然科学基金 (批准号 :10 2 7410 3和 5 0 2 710 81)资助的课题~~
就如何在 4英寸热氧化硅衬底上沉积高质量的磁性隧道结纳米多层薄膜材料和如何利用光刻方法微加工制备均匀性较好的磁性隧道结方面做了初步研究 ,并对磁性隧道结的磁电性质及其工作特性进行了初步测量和讨论 .利用现有的光刻设备和工艺...
关键词：磁性隧道结 隧穿磁电阻 电性质 硅衬底 绝对误差 磁随机存储器 均匀性 热氧化 光刻设备 微加工 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部