上海市自然科学基金(03ZR14109)

作品数：6被引量：3H指数：1
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相关作者：程新红俞跃辉宋朝瑞杨文伟王芳更多>>
相关机构：中国科学院温州大学中国电子科技集团公司第四十七研究所东北微电子研究所更多>>
相关期刊：《半导体技术》《微处理机》《功能材料与器件学报》更多>>
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相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
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SOI LDMOS功率器件的研究与制备被引量：1
《微处理机》2007年第2期11-13,共3页程新红 杨文伟 宋朝瑞 俞跃辉 姜丽娟 王芳 
上海市自然科学基金(03ZR14109)
根据REUSRF原理,对器件参数进行优化。采用与常规CMOS工艺兼容的技术,在SIMOX片上制备了薄膜SOI LDMOS功率器件。器件呈现良好的电学性能:漏极偏压5V时,泄漏电流仅为1nA;当漂移区长度为4μm时,关态击穿电压达到50V,开态击穿电压大于20V...
关键词：SOI材料 功率器件 LDMOS功率 
利用改善的体连接技术制备SOI LDMOSFET
《半导体技术》2006年第7期523-525,共3页程新红 宋朝瑞 俞跃辉 袁凯 许仲德 
上海市自然科学基金资助项目(03ZR14109)
对功率器件中常用的体连接技术进行了改进,利用一次硼离子注入技术形成体连接。采用与常规1μmSOI(硅-绝缘体)CMOS工艺兼容的工艺流程,在SIMOXSOI片上制备了LDMOS结构的功率器件。器件的输出特性曲线在饱和区平滑,未呈现翘曲现象,说明...
关键词：硅-绝缘体 体连接 横向双扩散金属氧化物半导体 
新型PSOI LDMOSFET的结构优化
《半导体技术》2006年第6期444-447,459,共5页程新红 宋朝瑞 俞跃辉 姜丽娟 许仲德 
上海市自然科学基金(03ZR14109)资助项目
针对沟道下方开硅窗口的图形化SOI(PSOI)横向双扩散MOSFET(LDMOSFET)进行了结构优化分析,发现存在优化的漂移区长度和掺杂浓度以及顶层硅厚度使PSOILDMOSFET具有最大的击穿电压和较低的开态电阻。PSOI结构的RESURF条件为Nd·tsi=1.8～3...
关键词：图形化PSOI 横向双扩散MOSFET 击穿电压 结构优化 
图形化SOI LDMOS功率器件的性能分析
《微处理机》2005年第4期1-2,共2页程新红 宋朝瑞 俞跃辉 赵天麟 李树良 
上海市自然科学基金资助项目(项目编号03ZR14109)
本文提出了一种在沟道下方埋氧层中开硅窗口的图形化SOI LDMOSFET新结构。工艺和性能分析表明,它可抑制SOI结构的浮体效应和自加热效应,具有低的泄漏电流,以及高的电流驱动能力。这种结构具有提高SOI功率器件性能和稳定性的开发潜力。
关键词：图形化SOI LDMOSFET 浮体效应 自加热效应 
高性能图形化SOI功率器件的研制被引量：2
《功能材料与器件学报》2005年第3期333-337,共5页程新红 宋朝瑞 杨文伟 俞跃辉 
上海市自然科学基金(No.03ZR14109)
利用掩膜注氧隔离技术(Masked SIMOX)制备图形化SOI衬底,采用与常规1μm SOI CMOS工艺兼容的工艺流程,制备了图形化SOI LDMOS功率器件。器件的输出特性曲线中未呈现翘曲效应、开态击穿电压高于6V、关态击穿电压达到13V、泄漏电流的量级...
关键词：图形化SOI技术 LDMOS 射频功率器件 增益 
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