“上海－应用材料研究与发展”基金(0506)

作品数：8被引量：12H指数：2
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相关期刊：《微电子学》《半导体技术》《通信技术》《上海大学学报（自然科学版）》更多>>
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新型Si基毫米波VGCPW建模被引量：1
《上海大学学报（自然科学版）》2008年第4期341-345,共5页胡嘉杰 夏立诚 王文骐 
上海应用材料研究与发展基金资助项目(0506)
基于Si基0.18μm标准CMOS工艺研究新型低损耗V型结构接地共面波导(VGCPW),用HFSS软件建立物理模型,进行三维电磁仿真,研究内部电磁场分布.采用ADS软件的传输线模型卡及其目标优化控件,建立适合于毫米波段CMOS单片集成电路仿真和设计的...
关键词：毫米波 CMOS 低损耗 CPW建模 
Si基毫米波共面波导建模被引量：1
《微计算机信息》2008年第1期192-194,共3页黎庶 胡嘉杰 王文骐 
上海-应用材料研究与发展基金资助(No.0506)由上海市科学技术委员会与美国应用材料公司共同设立
本文阐述了毫米波CMOS集成电路的关键技术之一,Si基共面波导(CPW)的机理和等效电路模型。通过电磁仿真(HFSS软件)提取CPW的S参数并计算相应的分布参数,建立了基于硅衬底的标准0.18μmCMOS工艺的毫米波CPW模型。实现了频率可达40GHz,特...
关键词：共面波导 毫米波 CMOS 建模 
基于BSIM3模型的毫米波MOS变容管建模被引量：3
《微电子学》2007年第6期833-837,共5页夏立诚 王文骐 胡嘉杰 
上海-应用材料研究与发展基金资助项目(0506)
提出了应用于毫米波段的MOS变容管的建模方法。针对标准0.18μm CMOS工艺,采用2D器件仿真软件MINIMOS,设计实现了积累型MOS变容管;并提出和分析了基于标准BSIM3模型的MOS变容管的等效电路模型;通过MINIMOS仿真,直接提取电路模型各寄生...
关键词：毫米波 CMOS 建模 MOS变容管 BSIM3 
毫米波MOS场效应晶体管的建模
《微电子学》2007年第2期151-154,共4页祝远渊 王文骐 夏立诚 
上海-应用材料研究与发展基金资助项目(0506)
提出了针对毫米波CMOS应用的nMOS场效应晶体管的建模方法。对采用0.18μm标准CMOS工艺的nMOS场效应管进行了版图的优化设计,并提出和分析了基于标准BSIM3V3模型卡的nMOS场效应管的等效电路模型。通过仿真,直接从MOS场效应管的物理版图...
关键词：毫米波CMOS 建模 MOS场效应晶体管 参数提取 BSIM3 
一种安全可靠性高的全新IP核保护方法被引量：2
《微电子学》2007年第2期185-188,共4页范明俊 李宁 赵乐军 叶凡 
上海-应用材料研究与发展基金资助项目(0506)
提出了一种基于3DES加(解)密双方认证系统的IP核保护方法,主要用于保护基于SRAMD工艺FPGA设计的IP核电路。在配置好的FPGA中,通过IP核外附加的内部保护电路和外部验证设备之间的互相通信认证,确认使用者的合法性,可有效防止IP核信息配置...
关键词：IP核保护 3DES 双方认证系统 FPGA 
WLAN应用的CMOS低噪声放大器设计被引量：4
《通信技术》2007年第4期16-18,共3页封春海 唐学锋 王文骐 
上海-应用材料研究与发展基金资助项目(No.0506);上海市重点学科建设资助项目(No.T0102)
采用TSMC0.25μmCMOS工艺设计了一个IEEE802.11a标准无线局域网(WLAN)应用的5.8GHz差分低噪声放大器(LNA)。阐述了LNA的噪声优化和设计过程。采用Agilent ADS仿真,结果显示:2.5V工作电压下,LNA增益为14.6dB,噪声系数为1.72dB,1dB压缩点...
关键词：低噪声放大器 CMOS 无线局域网 
毫米波CMOS集成电路的现状与趋势被引量：2
《半导体技术》2007年第3期197-201,共5页夏立诚 王文骐 祝远渊 
上海应用材料研究与发展基金资助项目(0506)
随着深亚微米和纳米CMOS工艺的成熟,设计和实现低成本的毫米波CMOS集成电路已成为可能。简述了毫米波CMOS技术的发展现状,介绍了毫米波CMOS集成电路的关键技术,即晶体管建模和传输线建模,并给出了毫米波CMOS电路的最新进展和发展趋势。
关键词：毫米波 集成电路 无线通信 建模 互补金属氧化物半导体 单片微波集成电路 
WLAN应用的CMOS低噪声放大器设计
《通信技术》2006年第S1期53-55,共3页封春海 唐学锋 王文骐 
上海-应用材料研究与发展基金资助项目(No.0506);上海市重点学科建设资助项目(No.T0102)
采用TSMC 0.25μmCMOS工艺设计了一个IEEE802.11a标准无线局域网(WLAN)应用的5.8GHz差分低噪声放大器(LNA).阐述了LNA的噪声优化和设计过程。采用Agilent ADS仿真,结果显示:2.5V工作电压下,LNA增益为14.6dB,噪声系数为1.72dB,1dB压缩点...
关键词：低噪声放大器 CMOS 无线局域网 
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