国家自然科学基金(69976019)

作品数：13被引量：15H指数：3
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相关期刊：《稀有金属材料与工程》《山东师范大学学报（自然科学版）》《科学技术与工程》《电子元件与材料》更多>>
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Ga阶梯式深结分布特性与应用研究
《稀有金属材料与工程》2007年第A03期36-39,共4页裴素华 黄萍 张美娜 江玉清 
国家自然科学基金(69976019)资助项目
利用开管扩Ga进行低浓度掺杂-长时间结深推移-浓度补偿与再分布方法形成Ga的阶梯式深结分布,用于普通晶闸管制备。实验与理论表明:J_1和J_2结附近Ga的较小浓度梯度α_j保证器件具有较高阻断耐压特性;J_3结附近Ga的浓度平缓分布,改善了...
关键词：GA 阶梯式分布 晶闸管 电学性能 
Ga的高斯分布对快速晶闸管电学性能的改善
《稀有金属材料与工程》2007年第A03期40-43,共4页裴素华 黄萍 张美娜 江玉清 
国家自然科学基金(69976019)资助项目
利用开管扩散方式,使Ga在Si中的浓度分布服从高斯函数形式,用于快速晶闸管的制造。由理论与实践得出:P_1,P_2区Ga的缓变分布及其与N_1区低杂质浓度的匹配,有效保证了快速晶闸管较高的正反向耐压特性;器件结构参数设计与Ga分布的突出特...
关键词：Ga高斯函数分布 快速晶闸管 电学性能 
Ga杂质分布对晶体管V-I特性的影响
《稀有金属材料与工程》2006年第12期1884-1887,共4页裴素华 黄萍 程文雍 
国家自然科学基金(69976019)
利用低浓度掺杂-结深推移-高浓度掺杂设计方法形成Ga基区,制备出NPN晶体管样品。实验结果与理论分析表明:Ga的线性缓变分布和SiO2薄膜覆盖下的扩散,大幅度提高了器件耐压水平与综合电学性能;IC-VCE中的负阻效应是由Ga原子表面浓度经二...
关键词：GA 浓度梯度 SIO2 器件耐压 负阻效应 
SiO_2-Si界面实现Ga掺杂的研究
《稀有金属材料与工程》2006年第11期1797-1799,共3页裴素华 黄萍 程文雍 
国家自然科学基金(69976019)资助项目
通过原子力显微镜(AFM)、二次离子质谱(SIMS)、扩展电阻(SRP)等方法对Ga在SiO2薄层、SiO2-Si界面的扩散特性进行测试表征与机理分析。其结果表明:源于H2和Ga2O3高温反应新生成的元素Ga,经SiO2薄层的快速吸收和输运,到达SiO2-Si的界面,...
关键词：GA SIO2 SiO2-Si界面 吸收和输运 固-固扩散 
金红石型TiO_2气敏材料的研究被引量：3
《电子元件与材料》2006年第8期22-24,共3页黄萍 裴素华 
国家自然科学基金资助项目(69976019)
采用预处理、高价氧化物掺杂、长时间烧结等手段,降低了金红石晶型TiO2的阻值。借助XRD和器件测试方法,对其结构和元件参数进行了分析,结果表明:TiO2粉末在1050℃下退火1h,能完全转化为稳定的金红石型结构;对金红石型结构的TiO2经N2气...
关键词：电子技术 TIO2 金红石 敏感材料 
TiO_2:Nb_2O_5混合晶体响应TMA气体敏感特性研究
《功能材料与器件学报》2006年第3期233-236,共4页裴素华 黄萍 
国家自然科学基金(No.69976019)资助项目
利用X射线衍(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和器件测试等方法对TiO2:Nb2O5混合晶体结构、表面形貌及敏感机理进行分析与讨论。结果认为:Nb2O5为10%的富钛敏感材料含有大量氧空位,晶粒之间的空隙增大,显著提高了电导率和气敏特性;使器件阻...
关键词：TiO2:Nb2O5混合晶体结构 敏感材料 TMA 
TiO_2-In-Nb_2O_5敏感材料响应TMA气敏特性分析被引量：4
《材料导报》2006年第7期126-128,共3页黄萍 裴素华 
国家自然科学基金(69976019)资助项目
以含In的TiO2为基质,与重量比为10%的Nb2O5混合,TiO2-In-Nb2O5混合敏感材料有效解决了三甲胺(TMA)动物食品测鲜气敏器件中提高电导率和保持高灵敏度之间的矛盾。并利用XRD、SEM对该混晶体的结构、形貌及其机理进行分析,发现:该富钛混晶...
关键词：三甲胺 敏感材料 TiO2-In-Nb2O5 混晶体 
鳍和鳔在鱼类沉浮行为中的作用被引量：3
《山东师范大学学报（自然科学版）》2006年第1期124-126,共3页赛林霖 赛道建 尹玲 苗秀莲 梁春明 
国家自然科学基金项目(69976019)
通过不同量充气、放气结合去鳍研究鲫鱼行为的结果表明,鱼依靠尾鳍摆动和胸鳍摆动角度改变使鱼体产生推动力和前后不同的流体升力,完成沉浮游泳行为.水层变化改变了水压使鳔内气体体积改变,反射性地引起鳔分泌气体或放气,下潜充气,上浮...
关键词：鳍 鳔 抽气 充气 
Ga在SiO_2/Si系下的扩散模型与分布规律被引量：3
《稀有金属材料与工程》2005年第6期920-923,共4页裴素华 张晓华 孙海波 于连英 
国家自然科学基金(69976019)资助项目
为给出受主杂质Ga通过SiO2/Si系统实现开管掺杂过程的模型描述和Si体内遵循的主要分布规律,利用二次离子质谱分析(SIMS)、薄层电阻(R□)测量方法,对Ga在SiO2/Si系下的扩散特性、硅表面及体内分布进行了系统研究,得出新的结论:(1)Ga在SiO...
关键词：开管扩Ga模型 分布规律 分凝效应 SiO2-Si界面 
Ga近硅表面连续低浓度分布特性分析被引量：2
《稀有金属材料与工程》2005年第4期565-568,共4页裴素华 修显武 孙海波 黄萍 于连英 
国家自然科学基金(69976019)资助项目
为进一步揭示Ga在SiO_2/Si系统下的完整扩散特性和分布行为,利用扩展电阻(SRP)分析方法,对恒定源、限定源,二次氧化(指磷扩散的再分布过程)不同温度和气氛,Ga在近硅表面微区域浓度连续性变化状态进行了系统研究。结果表明,恒定源掺杂过...
关键词：GA 近硅表面 浓度分布 
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