国家自然科学基金(50671060)

作品数：6被引量：7H指数：2
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晶粒尺寸对气相沉积薄膜磁取向生长的影响研究
《物理学报》2011年第1期449-453,共5页任树洋 任忠鸣 任维丽 
国家自然科学基金(批准号:50671060)资助的课题~~
为了研究强磁场下薄膜取向生长规律,采用真空蒸发气相沉积法分别制备了不同磁场方向生长的Zn和Bi薄膜.XRD结果发现磁化率差异较小的Zn薄膜在4T时产生了明显的取向生长,而磁化率差异较大的Bi薄膜在5T磁场强度还没有发生取向生长.SEM结果...
关键词：强磁场 磁取向 薄膜生长 材料电磁加工 
Zn取向对氧化法制备ZnO薄膜光致发光性能的影响研究被引量：2
《功能材料》2010年第12期2128-2130,共3页任树洋 任忠鸣 任维丽 
国家自然科学基金资助项目(50671060)
先利用电阻加热真空蒸发法制备(101)和(002)优先取向的金属Zn薄膜,而后氧化处理制备ZnO薄膜。并对制备的ZnO薄膜进行了XRD,SEM,紫外-可见光吸收谱和光致发光(PL)分析。XRD结果显示制备的ZnO薄膜中有未完全氧化的金属Zn。吸收谱结果发现...
关键词：ZNO薄膜 光致发光性能 氧化 
应用强磁场控制Zn薄膜取向研究被引量：3
《真空科学与技术学报》2010年第4期430-433,共4页任树洋 任忠鸣 任维丽 
国家自然科学基金(No.50671060)
在不同磁场下,用真空蒸发法制备了不同方向放置的Zn薄膜。对样品进行X射线衍射分析表明,在大于3T的磁场环境下,垂直于磁场放置的基片上制备的Zn薄膜最强衍射峰为(002),而平行于磁场方向放置的基片上制备的试样最强衍射峰为(101)。Zn的...
关键词：薄膜取向 基底材料 强磁场 磁取向 
强磁场下真空蒸发Zn薄膜晶粒细化研究被引量：1
《真空科学与技术学报》2009年第5期470-473,共4页任树洋 任忠鸣 任维丽 操光辉 
国家自然科学基金(No.50671060)资助
分别在1T,2T和3T强磁场下采用真空蒸发沉积制备了三种相同厚度的Zn薄膜,并和无磁场下制备的薄膜进行了对比研究。SEM对薄膜表面形貌研究发现,施加磁场制备的Zn薄膜表面晶粒要比无磁场条件下制备的薄膜有明显的细化作用。对磁场下Zn原子...
关键词：强磁场 晶粒细化 真空蒸发沉积 薄膜 
强磁场对真空蒸镀制取Te薄膜的影响
《物理学报》2009年第10期7101-7107,共7页赵安昆 任忠鸣 任树洋 操光辉 任维丽 
国家自然科学基金(批准号:50671060)资助的课题~~
采用强磁场下物理气相沉积方法,在单晶硅、玻璃板和聚乙烯(PET)基片上真空蒸发制取Te膜.结果显示在三种不同的基片上生长Te膜时,4T强磁场能够加快Te膜的形核长大,增大Te膜的颗粒尺度,使晶粒〈011〉方向取向性增强.
关键词：真空蒸镀 强磁场 晶面取向 Te薄膜 
3T强磁场对真空蒸发Zn薄膜晶体结构的影响被引量：1
《物理学报》2009年第8期5567-5571,共5页任树洋 任忠鸣 任维丽 操光辉 
国家自然科学基金(批准号:50671060)资助的课题~~
在3T强磁场下采用真空蒸发沉积在玻璃基片上制备了三种厚度分别为1,2,3μm的Zn薄膜,并和无磁场下制备的薄膜进行了对比研究.对施加磁场和无磁场环境下制备的试样分别进行了X射线衍射研究.研究表明,3T磁场下制备的Zn薄膜都是沿(002)面取...
关键词：强磁场 晶体结构 真空蒸发沉积 薄膜 
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