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国家自然科学基金(60806027): 作品数：14被引量：28H指数：2; 导出分析报告; 相关作者：王伟肖广然郭宇锋陈将伟王志功更多>>; 相关机构：南京邮电大学东南大学南通大学南京电子器件研究所更多>>; 相关期刊：《功能材料与器件学报》《固体电子学研究与进展》《Journal of Southeast University(English Edition)》《Journal of Semiconductors》更多>>; 相关主题：非平衡格林函数电学输运性质漂移区LDMOS更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术自然科学总论更多>>

基于非对称掺杂策略的GNRFET电学特性研究: 《南京邮电大学学报（自然科学版）》2013年第5期21-27,共7页蒋嗣韬肖广然王伟; 国家自然科学基金(60806027);江苏省高校自然科学基金(10KJD510005;10KJD510006);南京邮电大学科研基金(NY211094)资助项目; 基于量子力学非平衡Green函数理论框架,在开放边界条件下,通过自洽求解三维Poisson和Schrdinger方程,构建了适用于非均匀掺杂的石墨烯场效应管的输运模型。并利用该模型分析计算采用非对称HALO-LDD掺杂策略的石墨烯纳米条带场效应管(G...; 关键词：石墨烯纳米条带场效应管非对称HALO-LDD掺杂非平衡格林函数掺杂策略 DIBL效应

准一维碳纳米管的含时输运性质的研究(英文): 《固体电子学研究与进展》2013年第4期317-322,共6页夏春萍肖广然李浩王伟; 国家自然科学基金资助项目(60806027);江苏省高校自然科学研究面上资助项目(10KJD510005,10KJD510006); 提出了一种数值模拟方法,用于研究准一维碳纳米管系统的含时输运特性。基于非平衡格林函数,通过提出的方法,对准一维碳纳米管系统的电学性质进行数值计算。计算结果显示:当同一连续方波作用于电极时,电极与碳纳米管之间的耦合能越大,电...; 关键词：非平衡格林函数含时输运性质准一维碳纳米管系统

非对称HALO-LDD掺杂石墨烯纳米条带场效应管的电学特性研究(英文)被引量：2: 《固体电子学研究与进展》2013年第3期228-236,共9页蒋嗣韬肖广然王伟; 国家自然科学基金(60806027);江苏省高校自然科学研究面上资助项目(10KJD510005,10KJD510006); 随着器件沟道尺寸的不断缩小,短沟道效应(SCE)和漏致势垒降低效应(DIBL)对常规类MOSFET结构的石墨烯纳米条带场效应管(GNRFET)影响变大,从而引起器件性能下降。文中提出了一种新型采用非对称HALO-LDD掺杂结构的GNRFET,其能够有效抑制器...; 关键词：石墨烯纳米条带场效应管非平衡格林函数掺杂结构漏极电场致势垒降低效应

异质栅碳纳米管场效应管电学特性研究被引量：1: 《微电子学》2013年第3期419-422,434,共5页王伟任雨舟陈将伟夏春萍李浩郑丽芬李金杨恒新李锐; 国家自然科学基金资助项目(60806027);江苏省高校自然科学研究面上项目资助(10KJD510005;10KJD510006); 采用一种量子力学模型,研究了类MOSFET型碳纳米管场效应管(CNTFET)的电流特性。该模型基于二维非平衡格林函数(NEGF)方程和泊松(Poisson)方程自洽全量子数值解。结合器件的工作原理,研究了器件结构尺寸效应,比较分析单栅、异质栅CNTFET...; 关键词：碳纳米管场效应管非平衡格林函数异质栅量子力学模型

自旋场效应晶体管的电学特性研究(英文): 《固体电子学研究与进展》2013年第2期112-118,共7页张华鑫王燕王伟; 国家自然科学基金资助项目(60806027);江苏省自然科学基金资助项目(10KJD510005,10KJD510006);南京邮电大学自然科学基金资助项目(NY211094); 用非平衡格林函数方法研究一种自旋场效应晶体管的电子输运特性。结果表明,不考虑自旋散射的作用,当漏极电压比较小时该器件能达到很高的磁阻比率。对该器件在考虑自旋散射和不考虑自旋散射下的输出电流进行对比,发现在铁磁平行(反平行...; 关键词：自旋场效应晶体管器件仿真输运特性非平衡格林函数

石墨烯纳米条带的电子输运性质研究(英文): 《固体电子学研究与进展》2013年第1期11-16,共6页闫帅军肖广然陈将伟蔡宇凯王伟; 国家自然科学基金资助项目(60806027);江苏省高校自然科学基金资助项目(10KJD510005,10KJD510006); 采用紧束缚近似模型,运用Green函数和Landauer-Büttiker公式计算了并联型Armchair型边界的石墨烯纳米条带的电子输运性质。结果表明,随着并联纳米条带数量的增加,石墨烯纳米条带电导峰(电导谷)将有相应数量的增加;条带之间的间距增宽,...; 关键词：并联型石墨烯紧束缚近似格林函数输运性质

SOI LDMOS器件纵向耐压技术的研究进展被引量：1: 《功能材料与器件学报》2012年第5期403-411,共9页徐光明郭宇锋花婷婷徐跃吉新春; 国家自然科学基金项目(资助号:60806027;61076073);电子薄膜与集成器件国家重点实验室基金(KFJJ201011); SOI LDMOS是SOI高压集成电路的核心器件,而纵向击穿电压是制约其性能的关键。本文首先指出了常规SOI LDMOS纵向耐压低的原因;然后介绍了SOI高压器件纵向耐压理论,分析了该理论中三种改善SOI器件纵向耐压技术(超薄SOI技术、界面电荷技术...; 关键词：LDMOS 超薄SOI 界面电荷低K介质纵向耐压

梯子形石墨烯纳米条带输运性质的研究: 《南京邮电大学学报（自然科学版）》2012年第2期109-113,共5页蔡宇凯陈将伟杨恒新陶志阔王伟; 国家自然科学基金(60806027);江苏省高校自然科学研究面上项目(10KJD510005;10KJD510006)资助项目; 在紧束缚近似下,采用Green函数和Landauer-Büttiker公式计算了梯子型石墨烯纳米条带的电子输运性质。结果表明,随着阶梯数的增加,梯子型石墨烯纳米条带电导峰以0.0 eV为中心发生对称分裂,中心电导峰减小直至消失;随着阶梯间间隔变大,...; 关键词：梯子型石墨烯紧束缚模型格林函数电子输运性质

Research on heart sound identification technology被引量：21: 《Science China(Information Sciences)》2012年第2期281-292,共12页CHENG XieFeng MA Yong LIU Chen ZHANG XueJun GUO YuFeng; supported by National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61071089,61073115,61076073,60806027);Research Foundation of Nanjing University of Posts and Telecommunications(Grant Nos.NY207139,NY210036,NY210068);Foundation of State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices(Grant No.KFJJ201011);Foundation of Jiangsu Educational Committee(Grant No.09KJB510010); In this article, both the basic principles and the experimental methods of identity recognition technology based on heart sounds are addressed. First, the characteristics of heart sounds and the feasibility of heart s...; 关键词：BIOMETRIC wavelet family of heart sounds synthetic model of heart sounds heart sounds linearband frequency cepstra （HS-LBFC）

A 5-Gbit/s monolithically-integrated low-power clock recovery circuit in 0.18-μm CMOS: 《Journal of Southeast University(English Edition)》2011年第2期136-139,共4页张长春王志功施思潘海仙郭宇峰黄继伟; The National High Technology Research and Development Program of China (863 Program)(No. 2007AA01Z2a5);the National Natural Science Foundation of China (No. 60806027,61076073);Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education (No.20090092120012); In order to make a 10 Gbit/s 2：1 half-rate multiplexer operate without external clocks, a 5 Gbit/s clock recovery （CR） circuit is needed to extract the desired clock from one input data. For the CR circuit, a 3-sta...; 关键词：clock recovery phase frequency detector voltagecontrolled oscillator phase noise

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