国家自然科学基金(10305018)

作品数：2被引量：1H指数：1
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注硅工艺对UNIBOND SOI材料抗辐照性能的影响
《功能材料》2007年第A02期866-867,共2页武爱民 陈静 张恩霞 杨慧 张正选 王曦 
国家杰出青年科学基金资助项目（59925205）;国家自然科学基金资助项目（10305018）.
SOI材料天然具有抗瞬时辐射的能力，而通过特定的改性处理后，SOI的抗总剂量能力也可以得到大幅度的提高。SOI材料主流的制备方法包括SIMOX（注氧隔离方法）和UNIBOND SOI（智能剥离方法制备）。在SIMOX SOI的抗辐射加固领域，采用氮离...
关键词：绝缘体上的硅 智能剥离 离子注入 纳米晶 
注氮工艺对SOI材料抗辐照性能的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》2005年第6期1269-1272,共4页张恩霞 钱聪 张正选 王曦 张国强 李宁 郑中山 刘忠立 
国家杰出青年基金(批准号:59925205);上海市基础研究基金(批准号:02DJ14069);国家自然科学基金(批准号:10305018)资助项目~~
分别采用一步和分步注入的工艺制备了氧氮共注形成SOI(SIMON)材料,并对退火后的材料进行了二次离子质谱(SIMS)分析,结果发现退火之后氮原子大多数聚集在SiO2/Si界面处.为了分析材料的抗辐照加固效果,分别在不同方法制作的SIMON材料上制...
关键词：氧氮共注 SIMON SOI 离子注入 
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