福建省自然科学基金(2009J05151)

作品数：4被引量：1H指数：1
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相关主题：4H-SIC光电子学X射线光电子能谱SIOX薄膜SIO更多>>
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4H-SiC紫外光电探测器光电特性随温度变化的研究
《量子电子学报》2011年第6期737-741,共5页郑云哲 林冰金 张明昆 蔡加法 陈厦平 吴正云 
福建省自然科学基金资助项目(2009J05151)
利用光电流谱法研究了300 K到60 K温度范围内的p-i-n结构4H-SiC紫外光电探测器的暗电流及相对光谱响应特性。研究发现随着温度的降低,探测器的暗电流和相对光谱响应都逐渐减小;而且,反向偏压越高,暗电流减小的速率越大。在零偏压下,随...
关键词：光电子学 4H—SiC p—i—n紫外光电探测器 温度特性 光电特性 
4H-SiC雪崩光电探测器中倍增层参数的优化模拟
《量子电子学报》2011年第6期742-747,共6页钟林瑛 洪荣墩 林伯金 蔡加法 陈厦平 吴正云 
福建省自然科学基金项目(2009J05151)资助
应用ATLAS模拟软件,设计了吸收层与倍增层分离的(SAM)4H-SiC雪崩光电探测器(APD)结构。分析了不同外延层厚度和掺杂浓度对器件光谱响应的影响,对倍增层参数进行优化模拟,得出倍增层的最优化厚度为0.26μm,掺杂浓度为9.0×10^(17)cm^(-3...
关键词：光电子学 4H—SiC APD 光谱响应 探测率 
4H-SiC材料在紫外波段吸收系数的分析研究
《光谱实验室》2010年第4期1597-1600,共4页陈厦平 朱会丽 
福建省自然科学基金项目资助(No.2009J05151);厦门市科技计划项目(No.350z20031076)资助
基于已报道的4H-SiC材料在紫外波段(325—390nm)吸收系数的测定,结合经验公式,采用外推和多项式拟合方法分析4H-SiC材料在200—400nm紫外波段的吸收系数,并得到4H-SiC材料的吸收系数与波长的关系式。对4H-SiC吸收系数的分析研究将作为4H...
关键词：4H-SIC 吸收系数 紫外(UV) 
4H-SiC表面热氧化生长SiO_x薄膜特性的研究被引量：1
《量子电子学报》2010年第4期474-479,共6页陈厦平 朱会丽 蔡加法 
福建省自然科学基金(2009J05151)
采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)测试方法对4H-SiC上热氧化生长的氧化硅(SiO_x)薄膜表面形貌进行观测,并分析研究SiO_x薄膜和SiO_x/4H-SiC界面的相关性质,包括拟合Si2p、O1s和C1s的XPS谱线和分析其...
关键词：材料 SIOX薄膜 热氧化 X射线光电子能谱 4H—SiC 
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