国家重点实验室开放基金(9140C030604070C0304)

作品数：3被引量：16H指数：2
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偏置条件对NMOS器件X射线总剂量效应的影响被引量：5
《微电子学》2008年第2期166-169,173,共5页何玉娟 恩云飞 师谦 罗宏伟 章晓文 李斌 刘远 
国家重点实验室基金资助项目(9140C030604070C0304);国家重点实验室基金资助项目(9140C030601060C0302)
采用10 keV X射线,对NMOSFET在不同偏置条件下进行总剂量辐射,分析了辐照前后辐射感生的氧化物陷阱电荷与界面态电荷对MOS器件阈值电压的影响以及辐射导致漏电现象。实验结果表明,对于NMOSFET,On偏置条件是最劣偏置条件,Off偏置条件是...
关键词：X射线 总剂量辐射效应 辐射偏置 中带电压法 
SOI MOSFET抗辐射加固的常用方法与新结构被引量：9
《半导体技术》2008年第3期223-226,共4页何玉娟 刘洁 恩云飞 罗宏伟 师谦 
国家重点实验室基金项目(9140C030604070C0304);国家基础科研项目(A0626270)
SOI CMOS技术存在许多优势,但由于存在厚的埋氧层,其总剂量效应反而比体Si器件更差,因此需进行总剂量抗辐射加固设计。对几种SOI MOSFET的栅氧、埋氧和场氧总剂量抗辐射加固的方法进行了对比较分析,指出了各自的优劣势,给出了研究方向...
关键词：SOI 总剂量效应 FLEXFET G^4-FET 
动态偏置频率对X射线总剂量效应的影响被引量：2
《核技术》2008年第1期19-22,共4页何玉娟 师谦 罗宏伟 恩云飞 章晓文 李斌 刘远 
国家十一五预研项目(51323060401);国家重点实验室基金项目(9140C030604070C0304)资助
辐射偏置条件是影响MOSFET(Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor),总剂量辐射效应的主要因素之一,因为辐射时栅氧化层中电荷的产生、传输与俘获都与辐射偏置有关。本文采用10 keV X射线对MOSFET在不同频率的动态偏置条件下进...
关键词：X射线 总剂量辐射 辐射偏置 频率 
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