国家自然科学基金(60777022)

作品数：8被引量：15H指数：2
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相关作者：龚秀英高玉竹方维政王卓伟冯彦斌更多>>
相关机构：同济大学中国科学院华星电子工业公司更多>>
相关期刊：《光子学报》《电子与封装》《International Journal of Minerals,Metallurgy and Materials》《材料热处理学报》更多>>
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退火处理对长波长InAsSb材料电学性能的影响
《材料热处理学报》2014年第12期11-14,共4页高玉竹 周冉 龚秀英 杜传兴 
国家自然科学基金(60777022)
研究长波长InAsSb半导体材料在退火处理前、后,傅里叶变换红外(FTIR)透射光谱、组份元素In、Sb和As在外延层中的分布以及电学性质的变化。用熔体外延(ME)技术,在InAs衬底上生长InAs0.05Sb0.95外延层,外延层的厚度达到100μm。在350℃下...
关键词：INASSB 退火处理 元素分布 电学性质 
非制冷型中长波铟砷锑探测器被引量：1
《电子与封装》2014年第2期45-48,共4页高玉竹 洪伟 龚秀英 吴广会 冯彦斌 
国家自然科学基金项目(60777022);中央高校基本科研业务费项目
工作在中、长波红外波段(波长5~12μm)的红外探测器在红外制导、红外成像、环境监测及资源探测等方面有着重要而广阔的应用前景。目前中国军用和民用对这一波段的非制冷型、快速响应的光子型红外探测器有迫切需求。文中用熔体外延(ME)法...
关键词：非制冷红外光子探测器 INASSB 峰值探测率 光谱响应 
InAsSb thick epilayers applied to long wavelength photoconductors被引量：1
《International Journal of Minerals,Metallurgy and Materials》2013年第4期393-396,共4页Yu-zhu Gao Xiu-ying Gong Guang-hui Wu Yan-bin Feng Takamitsu Makino Hirofumi Kan Tadanobu Koyama Yasuhiro Hayakawa 
financially supported by the National Natural Science Foundation of China (No. 60777022);the Fundamental Research Funds for the Central Universities
InAs0.052Sb0.948 epilayers with cutoff wavelengths longer than 8 μm were successfully grown on InAs substrates using melt epitaxy （ME）. Scanning electron microscopy observations show that the interface between the ...
关键词：semiconducting indium compounds thick epilayers long wavelength PHOTOCONDUCTORS DETECTIVITY 
用液相外延法生长3～7μm波段InAs/InAs_(1-y)Sb_y及其光学和电学性质被引量：2
《光电子．激光》2012年第2期286-290,共5页高玉竹 龚秀英 Makino T Yamaguchi T Rowell N L 
国家自然科学基金(60777022)资助项目
用液相外延(LPE)法在InAs衬底上生长了3～7μm波段的InAs1-ySby外延层,研究了外延多层的组份与禁带宽度和晶格常数的关系。用光学显微镜、傅立叶变换红外(FTIR)透射、光荧光(PL)谱测试以及偏振光椭圆仪研究了外延材料的光学特性。电学...
关键词：InAs/InAsSb 液相外延(LPE) 光学性质 电学性质 
Characteristics of n-InAs/p-InAsSb heterojunctions with a cutoff wavelength of 4.8 μm
《Rare Metals》2011年第3期267-269,共3页GAO Yuzhu XU Baiqiao WANG Zhuowei GONG Xiuying FANG Weizheng 
the National Natural Science Foundation of China(No.60777022)
n-InAs/p-InAsSb heterojunctions with a cutoff wavelength of 4.8 μm were successfully grown by one-step liquid phase epitaxy （LPE） tech-nology. Scanning electron microscopy （SEM） images and X-ray diffraction （XRD...
关键词：HETEROJUNCTIONS liquid phase epitaxy current voltage characteristics WAVELENGTH 
室温InAsSb长波红外探测器的研制被引量：6
《光电子．激光》2010年第12期1751-1754,共4页高玉竹 龚秀英 吴广会 冯彦斌 方维政 
国家自然科学基金资助项目(60777022)
用熔体外延法(ME)生长出厚度达到100μm的InAsSb外延层,截止波长进入8～12μm波段。测量结果表明,InAsSb材料具有良好的单晶取向和结晶质量,位错密度达到104cm-2量级。室温下,霍尔测量得到的载流子浓度为1～3×1016cm-3,电子迁移率大于5...
关键词：室温探测器 INASSB 红外材料 黑体探测率 
截止波长12μm的p型-InAs_(0.04)Sb_(0.96)材料的熔体外延生长被引量：2
《光子学报》2009年第5期1231-1234,共4页高玉竹 王卓伟 龚秀英 
国家自然科学基金(60777022)资助
为了获得p-型的长波长InAsSb材料并研究掺杂剂Ge对材料特性的影响,用熔体外延法生长了掺Ge的波长为12μm的p型-InAsSb外延层.用傅里叶红外光谱仪、Vander Pauw法和电子探针微分析研究了材料的透射光谱、电学性质以及组分的分布.结果表明...
关键词：INASSB P-型 截止波长 空穴迁移率 组分分布 
Growth and characteristics of InAsSb epilayers with a cutoff wavelength of 4.8 μm prepared by one-step liquid phase epitaxy被引量：3
《Rare Metals》2009年第4期313-316,共4页GAO Yuzhu GONG Xiuying FANG Weizheng Akihiro Ishida 
provided by the National Natural Science Foundation of China (No. 60777022);the Program for Young Excellent Tal-ents in Tongji University
InAsSb epilayers with a cutoff wavelength of 4.8 μm have been successfully grown on InAs substrates by one-step liquid phase epitaxy （LPE） technology. The epilayers were characterized by X-ray diffraction （XRD）, ...
关键词：INASSB liquid phase epitaxy crystalline quality cutoff wavelength scanning electron microscopy 
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