广东省粤港关键领域重点突破项目(2007A010501008)

作品数：9被引量：12H指数：2
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量子阱数量变化对双波长LED作用的研究被引量：3
《物理学报》2011年第7期814-821,共8页张运炎 范广涵 
2009年省部产学研结合引导项目(批准号:2009B090300338);2010年省部产学研结合引导项目(批准号:2010B090400192)资助的课题;粤港关键领域重点突破项目(批准号:2007A010501008);教育部博士点基金(批准号:350163)~~
采用软件理论分析的方法分析了InGaN/GaN量子阱数量变化对双波长发光二极管发光光谱、内量子效率、电子空穴浓度分布、溢出电流等产生的影响.分析结果表明,量子阱数量的增加会引起载流子分配不均的现象,所以量子阱数量的增加并不能有效...
关键词：量子阱 数量 数值模拟 双波长发光二极管 
量子级联激光器噪声特性的电路模拟
《激光杂志》2011年第2期14-15,共2页陈贵楚 范广涵 
粤港关键领域重点突破项目(2007A010501008)
对文献报道的量子级联激光器的速率方程组进行简化,并引入Langevin噪声源,在单模与线性增益的情况下对速率方程进行了小信号处理,在此基础上构建了激光器的小信号电路模型,spice仿真结果表明激光器的噪声频谱的3-dB截止频率随光功率增...
关键词：量子级联激光器 速率方程 电路模型 SPICE仿真 
掺杂GaN间隔层对双波长发光二极管光谱调控作用的研究被引量：1
《物理学报》2011年第2期762-771,共10页张运炎 范广涵 章勇 郑树文 
广东省产学研结合引导项目(批准号:2009B090300338);粤港关键领域重点突破项目(批准号:2007A010501008);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:350163)资助的课题~~
采用软件理论分析的方法对p型及n型掺杂的GaN间隔层在InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管中对光谱调控作用进行模拟分析.分析结果表明,掺杂的GaN间隔层的引入,可以有效地控制各阱中的电子或空穴浓度,很好地解决了双波长发光二极管中两...
关键词：GAN 间隔层 数值模拟 双波长发光二极管 
不同掺杂类型的GaN间隔层和量子阱垒层对双波长LED作用的研究被引量：1
《物理学报》2011年第1期778-783,共6页张运炎 范广涵 
2009年省部产学研结合引导项目(批准号:2009B090300338);粤港关键领域重点突破项目(批准号:2007A010501008);教育部博士点基金项目(批准号:350163)资助的课题~~
采用软件理论分析的方法对不同掺杂类型的GaN间隔层和量子阱垒层在InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管中对发光光强、内量子效率、电子空穴浓度分布、溢出电流等作用进行模拟分析.分析结果表明,p型掺杂的GaN间隔层与量子阱垒层的引入同...
关键词：GAN 掺杂类型 数值模拟 双波长发光二极管 
退火温度对Ta掺杂ITO薄膜性能的影响被引量：2
《材料热处理学报》2010年第7期25-29,共5页黄俊毅 范广涵 章勇 
粤港关键领域重点突破项目(2007A010501008);广东省教育部产学研结合项目(2009B09030038);教育部博士点基金项目(2007498351)
利用电子束蒸发技术在玻璃衬底上沉积了Ta掺杂ITO(ITO∶Ta)薄膜,对比研究了在不同退火温度下ITO∶Ta和ITO薄膜表面形貌、方阻、载流子浓度、霍尔迁移率和透光率的变化情况。结果表明,随着退火温度的上升,ITO∶Ta薄膜的晶化程度不断提高...
关键词：ITO薄膜 掺杂 电子束蒸发 退火温度 
产学研相结合建设LED研发实验室被引量：1
《实验技术与管理》2009年第11期154-156,159,共4页张涛 范广涵 
广东省粤港关键领域重点突破项目(2007A010501008);广州市科技攻关重大项目(2004U13D0021,2005Z1-D0071)
从建设LED（light emitting diode,发光二级管）研发实验室的实践出发,总结了华南师范大学以产学研相结合建设LED研发实验室的思路、目标、管理体制、运行机制与取得的成效。
关键词：LED研发实验室 建设 实践 
GaN基三阱量子级联激光器结构的垒层Al组分分析
《华南师范大学学报（自然科学版）》2009年第3期43-46,共4页陈贵楚 范广涵 李述体 邢海英 
国家自然科学基金资助项目(50602018);粤港关键领域重点突破项目(2007A010501008);广州市LED工业化研究基地项目(2004U13D0021)
基于不同的研究者报道的AlGaN/GaN三阱式量子级联激光器的垒层有不同的Al组分,通过对激光器一个周期单元的一维薛定谔方程与泊松方程进行自洽求解,得到了能带与电子波函数的分布情况,并且计算了在近共振条件下偶极跃迁矩阵元与垒层Al组...
关键词：量子级联激光器 垒层 AL组分 跃迁矩阵元 
Al组分对AlGaN/GaN量子级联激光器性能的影响被引量：4
《发光学报》2009年第4期473-476,共4页陈贵楚 范广涵 
国家自然科学基金(50602018);广州市LED工业化研究基地项目(2004U13D0021);粤港关键领域重点突破项目(2007A010501008)资助
通过对激光器一个周期单元的一维薛定谔方程与泊松方程进行自洽求解,得到了能带与电子波函数的分布情况,并且计算了在近共振条件下偶极跃迁元与垒层Al组分的关系,得到了Al组分的优化结果。结果表明,垒层材料的Al组分大约等于0.15时激光...
关键词：量子级联激光器 AL组分 偶极跃迁元 
量子级联探测器研究进展
《激光与光电子学进展》2009年第8期67-70,共4页陈贵楚 范广涵 
国家自然科学基金(50602018);广州市LED工业化研究基地项目(2004U13D0021);粤港关键领域重点突破项目(2007A010501008)资助课题
综述了基于三大化合物半导体材料(GaAs基、InP基与GaN基)的量子级联探测器(QCD)的进展,对这三种材料体系的QCD的各种技术指标如光电流响应度、电阻、电流-电压特性等做了详细的说明,最后对其他半导体材料及新型结构的QCD做了展望。
关键词：探测器 量子级联探测器 半导体材料 新型结构 
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