江苏省自然科学基金(BK2006126)

作品数：4被引量：12H指数：1
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相关机构：南京大学南京工程学院更多>>
相关期刊：《Journal of Semiconductors》《半导体技术》《发光学报》《功能材料与器件学报》更多>>
相关主题：太阳电池INGAN表面态ALNALGAN/GAN异质结更多>>
相关领域：电气工程自动化与计算机技术理学更多>>
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AlN钝化层对AlGaN/GaN异质结及其高温特性的影响被引量：1
《功能材料与器件学报》2008年第6期1031-1034,共4页陈国强 陈敦军 刘斌 谢自力 韩平 张荣 郑有炓 
国家自然科学基金(Nos.60406002;60676057);973(2006CB604905 and 2006CB604907);新世纪创新人才基金(NCET-05-0445);江苏省自然科学基金(BK2006126 and BK2005210)
主要研究了AlN钝化介质层对AlGaN/GaN异质结势垒层应力的修改以及应力的变化对二维电子气高温输运性质的影响。研究结果表明:AlN介质层会对AlGaN势垒层产生附加的平面压应变;AlN和传统的Si3N4钝化介质都能减轻AlGaN势垒层在高温下的应...
关键词：AlGaN/GaN异质结 钝化介质 表面态 二维电子气 
In_(0.2)Ga_(0.8)N化合物肖特基太阳电池
《半导体技术》2008年第S1期213-215,230,共4页薛俊俊 赵红 陈敦军 谢自力 张荣 郑有炓 
国家863项目(2007AA06A405);教育部NCET项目(NCET-05-0445);江苏省自然科学基金资助项目(BK2006126)
制备了一个Au/Pt/In0.2Ga0.8N肖特基原型太阳电池。采用热电子发射(TE)模型和热电子场发射(TFE)模型拟合了肖特基的正向I-V曲线,结果显示两种模型计算所得到的肖特基势垒高度和理想因子非常相近,表明所制备的In0.2Ga0.8N肖特基的电流输...
关键词：氮化铟镓 化合物半导体 肖特基 太阳电池 
MOCVD生长的InN薄膜中In分凝现象
《发光学报》2008年第5期851-855,共5页徐峰 陈敦军 张荣 谢自力 刘斌 刘启佳 江若涟 郑有阧 
国家自然科学基金(60476030;60421003;60676057);"973"专项基金(2006CB604905;2006CB604907);新世纪优秀人才计划(NCET-05-0445);江苏省自然科学基金(BK2006126)资助项目
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法不同生长条件下在c面蓝宝石衬底上制备了InN薄膜,通过不同的物理表征手段研究了InN薄膜的物理性质,结果表明:合适的生长温度可以抑制InN薄膜表面分凝现象。研究认为较低的生长温度使作为N源的NH3...
关键词：In分凝 X射线衍射 原子力显微镜 X射线光电子谱 RAMAN散射 
InGaN太阳电池转换效率的理论计算被引量：11
《Journal of Semiconductors》2007年第9期1392-1395,共4页文博 周建军 江若琏 谢自力 陈敦军 姬小利 韩平 张荣 郑有炓 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB6049);国家自然科学基金(批准号:60476030);江苏省自然科学基金(批准号:BK2006126)资助项目~~
根据pn结太阳电池的电流-电压方程,计算了在理想情况下,InGaN材料应用于单结、双结和三结太阳电池时,其转换效率可分别高达27.3%,36.6%和41.3%,均高于通常半导体材料太阳电池.同时,计算还得出了3种InGaN太阳电池的最佳带隙宽度及相应的I...
关键词：INGAN 太阳电池 转换效率 理论计算 
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