河北省自然科学基金(195051)

作品数：4被引量：6H指数：1
导出分析报告
相关作者：杨瑞霞刘力锋郭惠李光平陈国鹰更多>>
相关机构：河北工业大学天津电子材料研究所更多>>
相关期刊：《河北工业大学学报》《红外技术》《固体电子学研究与进展》更多>>
相关主题：GAAS砷化镓淬火半绝缘砷化镓激发态更多>>
相关领域：电子电信更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-4
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
热处理和淬火影响GaAs中EL2浓度机理的研究被引量：6
《红外技术》2002年第1期30-33,共4页刘力锋 杨瑞霞 郭惠 
河北省自然科学基金资助项目 (1 950 51 )
对非掺杂 (ND)半绝缘 (SI)液封直拉 (LEC)GaAs单晶在 5 0 0～ 1170℃温度范围进行了单步和多步的热处理和淬火 ,研究了热处理及淬火对GaAs中EL2浓度的影响 。
关键词：半绝缘砷化镓 热处理 淬火 EL2浓度 砷沉淀 
高温淬火对GaAs中深施主缺陷的影响
《河北工业大学学报》2001年第1期67-69,共3页杨瑞霞 刘力锋 郭惠 
河北省自然科学基金资助项目!(195051)
研究了１ １２０℃ 高温淬火对非掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡＳ中 ＥＬ２浓度的影响．发现真空条件Ｔ，在１１２０℃热处理２ｈ～８ｈ并快速冷却后，样品中ＥＬ２浓度下降近一个数量级，提高高温过程中的 ＡＳ压，可抑制 ＥＬ２浓度的大幅...
关键词：非掺杂半绝缘LECGaAs 高温粹火 EL2浓度 AS压 砷化镓 深施主缺陷 集成电路 砷压 
GaAs中碳受主局域振动模积分吸收的温度关系
《固体电子学研究与进展》2000年第3期324-329,共6页杨瑞霞 李光平 付浚 陈国鹰 孙以才 
河北省自然科学基金资助项目!(编号 195 0 5 1);中国科学院半导体材料实验室资助项目
Ga As中碳 (C)受主局域振动模 (LVM)积分吸收的温度关系是一个受到广泛关注和研究的问题。但是 ,不同研究者得到的定量研究结果具有很大差异。迄今对导致这种差异的原因及积分吸收随温度变化的机理尚不完全清楚。本研究表明 ,二者均与 ...
关键词：碳受主 局域振动模 激发态 砷化镓 
非掺杂半绝缘LECGaAs中电参数与碳浓度及EL2浓度的关系
《固体电子学研究与进展》1999年第4期428-432,共5页杨瑞霞 李光平 
河北省自然科学基金资助项目!(195051)
利用范德堡方法和光吸收方法研究了非掺杂半绝缘（ＳＩ）ＬＥＣＧａＡｓ 中电参数与碳（Ｃ）浓度及ＥＬ２ 浓度的关系。通过比较实验结果和理论计算结果发现。
关键词：砷化镓 碳 EL2 电参数 掺杂 半导体材料 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部