国家自然科学基金(61376058)

作品数：4被引量：4H指数：1
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Detection of lead ions with AlGaAs/InGaAs pseudomorphic high electron mobility transistor
《Journal of Semiconductors》2016年第11期40-42,共3页牛吉强 张杨 关敏 王成艳 崔利杰 杨秋旻 李弋洋 曾一平 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.61204012,61274049,61376058);the Beijing Natural Science Foundation(Nos.4142053,4132070);the Beijing Nova Program(Nos.2010B056,xxhz201503)
Lead poisoning is a serious environmental concern, which is a health threat. Existing technologies al- ways have some drawbacks, which restrict their application ranges, such as real time monitoring. To solve this pro...
关键词：Environmental monitoring A1GaAs/InGaAs PHEMT BIOSENSOR 
Ⅱ-Ⅵ族三元合金薄膜生长与掺杂工艺研究现状被引量：1
《半导体光电》2016年第5期601-609,共9页任敬川 刘超 崔利杰 曾一平 
国家自然科学基金项目(61376058)
相对于Ⅱ-Ⅵ族二元化合物,三元合金在调节带隙宽度和晶格常数上的灵活性使其应用前景更加广阔,并有希望解决Ⅱ-Ⅵ族材料普遍存在的单极性掺杂难题而成为未来新型光电器件发展的一个重要方向。文章着重介绍了分子束外延(MBE)技术生长ZnS...
关键词：Ⅱ-Ⅵ族半导体 外延生长 掺杂 薄膜 综述 
ZnSeTe薄膜的分子束外延生长被引量：1
《半导体技术》2016年第6期461-466,共6页任敬川 刘超 崔利杰 曾一平 
国家自然科学基金资助项目(61376058)
研究了用分子束外延设备在GaAs（001）衬底上异质外延生长ZnSeTe单晶薄膜材料的工艺技术。在VI族元素富集条件下,通过调节Se/Zn束流比,制备了全组分分布（x=0-1）的Zn SexTe1-x单晶薄膜样品。XRD分析结果显示外延生长的ZnSeTe薄膜样品...
关键词：ZnSeTe 分子束外延(MBE) II-VI族半导体 晶体质量 电学性能 
硅基Ⅱ-Ⅵ族单结及多结太阳电池研究进展被引量：2
《半导体技术》2014年第4期241-247,共7页张理嫩 刘超 崔利杰 曾一平 
国家自然科学基金资助项目(61376058)
Ⅱ-Ⅵ族材料具有少子寿命对位错不敏感、禁带宽度范围大及成本低等优点,分子束外延(MBE)生长的Si基Ⅱ-Ⅵ族材料可以作为新的材料体系应用于多结太阳电池中,并且开发新型Si基Ⅱ-Ⅵ族多结电池的效率有可能高于目前的Ⅲ-Ⅴ族多结电池。综述...
关键词：Ⅱ-Ⅵ族化合物材料 硅基 多结(MJ)太阳电池 分子束外延(MBE) 光伏效率 
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