国家杰出青年科学基金(50325104)

作品数：8被引量：10H指数：2
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相关作者：韩秀峰詹文山杜关祥曾中明魏红祥更多>>
相关机构：中国科学院北京工业大学美国橡树岭国家实验室北京有色金属研究总院更多>>
相关期刊：《物理学报》《物理》《科学通报》《Journal of Semiconductors》更多>>
相关主题：磁性隧道结隧穿磁电阻SR半金属隧道结更多>>
相关领域：理学自动化与计算机技术化学工程一般工业技术更多>>
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磁随机存取存储器:专利视角下的产业化趋势被引量：3
《科学通报》2016年第9期996-1007,共12页吕晓蓉 
国家重点基础研究发展计划(2001CB610601;2006CB932200;2010CB934401);国家杰出青年科学基金(50325104);国家自然科学重点基金(11434014);中国科学院战略先导项目(B类)(XDB07030200)资助
磁随机存取存储器,作为未来最有希望代替现有随机存储器的新型数据非易失性存储器技术之一,具有高速度、高密度、非易失性、长寿命、低功耗、抗辐射等优势,未来产业价值巨大、应用前景非常广阔,成为美国、欧洲、日本和韩国等高端芯片制...
关键词：磁随机存取存储器 新型自旋电子学器件 专利评价 产业化 
双势垒磁性隧道结中量子阱共振隧穿效应的第一性原理理论
《物理》2007年第3期195-198,共4页王琰 韩秀峰 卢仲毅 张晓光 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB93200);国家杰出青年基金(批准号:50325104;50528101);国家自然科学基金(批准号:10574156);中国科学院知识创新工程重大课题;王宽诚基金
磁性隧道结材料中自旋相关的量子阱态所导致的共振隧穿现象具有很重要的研究和应用价值.文章介绍了最近在Fe(001)/MgO/Fe/MgO/Fe双势垒磁性隧道结中存在的量子阱共振隧穿效应的理论研究工作.通过量子阱态的第一性原理的计算以及结合对中...
关键词：双势垒磁性隧道结 量子阱态 共振隧穿 第一性原理计算 
一种研究自旋翻转散射效应的新方法
《物理》2007年第3期199-202,共4页曾中明 丰家峰 王勇 韩秀峰 詹文山 张晓光 张泽 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB93200);国家杰出青年基金(批准号:50325104;50528101);国家自然科学基金(批准号:10574156);中国科学院知识创新工程重大课题;王宽诚基金
金属中自旋翻转散射长度远长于电子平均自由程,近来关于自旋翻转散射效应的研究主要集中于扩散区域.文章作者提出了一种使用双势垒磁性隧道结来研究纳米尺度结构中弹道区域的自旋翻转散射效应的新方法.这种方法可以从磁电输运性质的测量...
关键词：自旋翻转散射 双势垒磁性隧道结 自旋极化输运 电子平均自由程 量子阱 
A Novel Method of Nanocontact Fabrication for Andreev Reflection Measurement
《Journal of Semiconductors》2006年第4期591-597,共7页王天兴 魏红祥 任聪 韩秀峰 Clifford E Langford R M Bari M A Coey J M D 
爱尔兰科学基金,爱尔兰科学基金会;中国科学技术部国家重点项目基础研究部的中爱科学技术合作基金(批准号:2001CB610601);国家自然科学基金(批准号:10610136,10574156,50271081);国家杰出青年基金(批准号:50325104,50528101)资助项目~~
A new method of nanocontact fabrication for Adreev reflection measurement based on the nanopore method using a SiN membrane with focused ion beam technique is presented. With this method, controllable, clean,tensionle...
关键词：point contact Andreev reflection CONTROLLABLE spin polarization 
磁随机存储器中垂直电流驱动的磁性隧道结自由层的磁化翻转被引量：1
《物理学报》2006年第2期860-864,共5页彭子龙 韩秀峰 赵素芬 魏红祥 杜关祥 詹文山 
中国科学院知识创新工程重大课题;国家科技部973基础研究专项(批准号:2001CB610601);国家杰出青年基金(批准号:50325104);国家自然科学基金(批准号:10274103)资助的课题.~~
在基于磁性隧道结(Magnetic Tunneling Junction,MTJ)的磁随机存储器(Magnetoresistantive Random Access Memory,MRAM)中利用通过MTJ的垂直电流,实现信息写入的新方法,同时给出了基于此新方法的一种新的MRAM结构和驱动原理图,并分析了...
关键词：垂直电流 磁性隧道结 磁随机存储器 
成分调制的La_(1-x)Sr_xMnO_3复合隧道结被引量：5
《物理学报》2005年第10期4903-4908,共6页于敦波 丰家峰 杜永胜 韩秀峰 严辉 应启明 张国成 
北京市自然科学基金(批准号:2021003);科技部重大基础研究前期研究专项(批准号:2002CCC01300);国家973基础研究专项(批准号:2001CB610601);国家杰出青年基金(批准号:50325104);国家自然科学基金中国爱尔兰重大国际合作项目(批准号:50271081);国家自然科学基金(批准号:10274103)资助的课题.~~
利用磁控溅射和Sr成分的调制以及原位热处理方法,在10mm×10mm大小的(001)取向SrTiO3单晶衬底上制备出三明治结构为La0·7Sr0·3MnO3(100nm)/La0·96Sr0·04MnO3(5nm)/La0·7Sr0·3MnO3(100nm)的隧道结外延薄膜,然后再次利用磁控溅射方...
关键词：LA1-XSRXMNO3 半金属 成分调制 复合磁性隧道结 隧穿磁电阻 磁性隧道结 调制 成分 复合 金属氧化物 
高磁电阻磁性隧道结的几种微制备方法研究
《物理学报》2005年第8期3831-3838,共8页李飞飞 张谢群 杜关祥 王天兴 曾中明 魏红祥 韩秀峰 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2001CB610601);国家杰出青年科学基金(批准号:50325104);国家自然科学基金(批准号:10274103)资助的课题.~~
利用金属掩模法优化了制备磁性隧道结的实验和工艺条件,金属掩模的狭缝宽度为100μm.采用4nm厚的Co75Fe25为铁磁电极和1·0或0·8nm厚的铝氧化物为势垒膜,直接制备出了室温隧穿磁电阻(TMR)为30%—48%的磁性隧道结,其结构为Ta(5nm)/Cu(25...
关键词：磁性隧道结 制备方法 动态随机存储器 隧穿磁电阻 离子束刻蚀 工艺条件 铝氧化物 铁磁电极 狭缝宽度 直接制备 化学反应 光刻技术 M-20 研究结果 工艺方法 传感器件 TMR 掩模法 室温 低电阻 小尺寸 金属 打孔 刻槽 势垒 
双势垒磁性隧道结的磁电阻效应及其在自旋晶体管中的应用被引量：1
《物理学报》2005年第7期3351-3356,共6页曾中明 韩秀峰 杜关祥 詹文山 王勇 张泽 
国家重点基础研究发展规划项目(批准号:2001CB610601);中国科学院知识创新工程;国家自然科学基金(批准号:50271081;10274103);国家杰出青年基金(批准号:50325104)资助的课题.~~
利用磁控溅射方法沉积双势垒磁性隧道结多层膜,其中Al_O势垒层由等离子体氧化1nm厚的金属铝膜方式制备,然后采用深紫外光曝光和Ar离子刻蚀技术、微加工制备出长短轴分别为6和3μm大小的椭圆形双势垒磁性隧道结(DBMTJ),并在室温和低温下...
关键词：磁性隧道结 自旋晶体管 双势垒 磁电阻效应 应用 等离子体氧化 电子输运特性 隧穿磁电阻 磁控溅射 刻蚀技术 加工制备 隧穿效应 振荡现象 直流电流 外加偏压 多层膜 势垒层 紫外光 椭圆形 低电阻 TMR 高电阻 室温 短轴 
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