国家自然科学基金(60306001)

作品数：4被引量：9H指数：2
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基于Ⅲ-V族半导体材料的热光伏电池研究进展被引量：6
《半导体技术》2008年第8期649-653,共5页方思麟 于书文 刘维峰 刘爱民 
国家自然科学基金资助项目(60306001)
部分Ⅲ-V族化合物半导体具有较窄的禁带宽度,对红外发射体的温度要求较低,非常适宜制备热光伏(TPV)电池。简要介绍热光伏系统的基本结构,讨论了基于GaSb、InGaAsSb、InGaAs、InAsSbP几种主要窄带隙Ⅲ-V族化合物半导体的热光伏电池的研...
关键词：热光伏 Ⅲ-V族半导体 窄带 
n型InP(100)衬底上电沉积氧化锌薄膜的制备及光致发光(英文)被引量：3
《发光学报》2008年第2期283-288,共6页翁占坤 刘爱民 刘艳红 胡增权 
国家自然科学基金资助项目(60306001)~~
采用电化学沉积方法在n型InP(100)(1016)衬底上制备了氧化锌薄膜。探索线性扫描伏安法确定InP与0.1mol/LZn(NO3)2电解液的体系中沉积氧化锌的极化电势,在20℃溶液中,相对于甘汞电极(SCE)的极化电势为-1.1877V。扫描电镜照片显示:随着应...
关键词：氧化锌薄膜 电沉积 X射线衍射 光致发光 
电化学刻蚀方法制备半导体材料纳米阵列
《功能材料》2004年第z1期1145-1147,共3页李国庆 刘爱民 潘萌 杜晓书 郭凡 
国家自然科学基金资助项目(60306001)
电化学刻蚀方法是一种非常简单实用的制备规则纳米阵列结构的方法.本文简述了用电化学刻蚀方法制备InP以及Si规则纳米阵列的方法.SEM图像给出了这些规则纳米阵列的结构.
关键词：电化学刻蚀 多孔InP 多孔硅 SEM 
低电压并五苯晶体管的制北
《功能材料》2004年第z1期1361-1363,共3页王东盛 吴萃婷 刘爱民 
国家自然科学基金资助项目(60306001)及校学科建设基金资助下完成的.
介绍了利用物理气相沉积的技术制备有机物并五苯场效应晶体管(OTFT)的方法.通过扫描电镜(SEM)和X射线衍射谱(XRD)对并五苯薄膜的分析,发现并五苯薄膜具有良好的表面形貌和晶体特性.其载流子迁移率达0.3cm2/Vs,并五苯晶体管具有低电压特性.
关键词：有机场效应晶体管 并五苯 物理气相沉积 
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