国家高技术研究发展计划(2003AA1Z1370)

作品数：6被引量：4H指数：1
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相关作者：田立林张大伟余志平章浩竺红卫更多>>
相关机构：清华大学浙江大学北京大学更多>>
相关期刊：《微电子学与计算机》《物理学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
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具有HfN/HfO_2栅结构的p型MOSFET中的负偏置-温度不稳定性研究被引量：1
《物理学报》2006年第3期1419-1423,共5页萨宁 康晋锋 杨红 刘晓彦 张兴 韩汝琦 
国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA1Z1370);国家自然科学基金(批准号:90407015)资助的课题.~~
研究了HfN/HfO_2高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中,负偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO_2高K栅结构的等效氧化层厚度(EOT)为1·3nm,内含原生缺陷密度较低.研究表明,由于所制备的HfN/HfO_2高...
关键词：高K栅介质 负偏置-温度不稳定性(NBTI) 反应-扩散(R—D)模型 
设计规则驱动的多层布线算法被引量：2
《微电子学与计算机》2005年第10期30-33,共4页竺红卫 
国家自然科学基金项目(90207002);国家863计划项目(2003AA1Z1370)
迷宫算法是集成电路两端线网优化布线问题的经典算法。多层布线受复杂版图设计规则约束,简单直接应用迷宫布线算法,或者无法获得优化的结果,或者无法满足设计规则。文章分析了迷宫算法特性与局限,提出基于群组图的多层迷宫算法,圆满地...
关键词：多层布线 设计规则 迷宫算法 
Compact Threshold Voltage Model for FinFETs
《Journal of Semiconductors》2005年第4期667-671,共5页张大伟 田立林 余志平 
国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2003AA1Z1370)~~
A 2D analytical electrostatics analysis for the cross-section of a FinFET (or tri-gate MOSFET) is performed to calculate the threshold voltage.The analysis results in a modified gate capacitance with a coefficient H i...
关键词：FINFET 2D analytical electrostatic analysis compact model threshold voltage 
Analytical Modeling of Threshold Voltage for Double-Gate MOSFET Fully Comprising Quantum Mechanical Effects
《Journal of Semiconductors》2005年第3期429-435,共7页张大伟 田立林 余志平 
国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2003AA1Z1370)~~
The analytical solutions to 1D Schrdinger equation (in depth direction) in double gate (DG) MOSFETs are derived to calculate electron density and threshold voltage.The non uniform potential in the channel is concern...
关键词：DG MOSFET 1D analytical QM solution non  uniform potential in channel  depth direction electron density threshold voltage channel depth 
亚100nm体硅MOSFET集约I-V模型被引量：1
《Journal of Semiconductors》2005年第3期554-561,共8页张大伟 章浩 朱广平 张雪莲 田立林 余志平 
国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2003AA1Z1370)~~
利用“局域化”的概念和二维泊松方程的解析解,建立了沟道方向上二维量子效应对阈电压的修正模型.基于密度梯度理论,建立了多晶硅栅内量子效应对阈电压的修正模型.在此基础上,结合弹道理论,开发了一个适用于亚100nm MOSFET的集约I V模型...
关键词：量子力学效应 弹道输运 体硅MOSFET 集约I-V模型 可延伸性 
Gate-Capacitance-Shift Approach and Compact Modeling for Quantum Mechanical Effects in Poly-Gates
《Journal of Semiconductors》2004年第12期1599-1605,共7页张大伟 章浩 田立林 余志平 
国家高技术研究发展计划资助项目 (批准号 :2 0 0 3 AA1Z13 70 )~~
A new approach,gate-capacitance-shift (GCS) approach,is described for compact modeling.This approach is piecewise for various physical effects and comprises the gate-bias-dependent nature of corrections in the nanosca...
关键词：compact model nanoscale regime GCS approach QM effects in poly-gates 
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