云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家自然科学基金(50532070)

国家自然科学基金(50532070): 作品数：26被引量：55H指数：5; 导出分析报告; 相关作者：傅竹西徐彭寿孙柏张国斌孙利杰更多>>; 相关机构：中国科学技术大学中国科学院洛阳师范学院中国科学院研究生院更多>>; 相关期刊：《发光学报》《物理学报》《人工晶体学报》《真空科学与技术学报》更多>>; 相关主题：ZNO薄膜ZNO光致发光脉冲激光淀积MOCVD更多>>; 相关领域：理学电子电信化学工程一般工业技术更多>>

ZnO中若干p型杂质与氢相互作用行为的理论研究被引量：1: 《中国科学：物理学、力学、天文学》2012年第11期1124-1134,共11页何海燕胡军潘必才; 国家自然科学基金资助项目(批准号:50532070); 本文综述了我们对ZnO中几种重要的p型受主杂质与H原子相互作用行为的理论研究结果.我们的研究表明,ZnO中H原子可以通过不同的路径迁移到受主杂质(N,Li和Ag)附近,形成稳定的NO-H,LiZn-H和AgZn-H复合体.我们进一步发现在这些复合体形成的...; 关键词：密度泛函理论计算 ZNO p型杂质与H的复合体迁移电子结构振动性质

Sb掺杂ZnO薄膜的缺陷和光学性质研究被引量：1: 《中国科学技术大学学报》2011年第1期72-75,共4页陈小庆孙利杰傅竹西; 国家自然科学基金重点项目(50532070);中国科学院三期创新方向性课题(KJCX3.5YW.W01)资助; 采用磁控溅射方法在6H-SiC单晶片上制备了锑(Sb)掺杂的氧化锌(ZnO)薄膜.利用X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对样品的结晶质量和成分进行了测试.结果表明所得到的ZnO∶Sb薄膜结晶质量良好,掺Sb浓度为原子数分数1%,并且掺入的Sb原...; 关键词：Sb掺杂低温PL谱 ZNO A0X

Temperature coefficients of grain boundary resistance variations in a ZnO/p-Si heterojunction被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2010年第12期11-15,共5页刘秉策刘磁辉徐军易波; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.50472009,10474091,50532070); Heteroepitaxial undoped ZnO films were grown on Si （100） substrates by radio-frequency reactive sputtering, and then some of the samples were annealed at N2-800℃ （Sample 1, S1） and 02-800℃ （Sample 2, S2） for 1...; 关键词：ZnO/p-Si heterojunction grain boundary temperature coefficients of grain boundary resistances intrinsicdefects

Photoelectric conversion characteristics of ZnO/SiC/Si heterojunctions: 《Journal of Semiconductors》2010年第10期10-13,共4页邬小鹏陈小庆孙利杰毛顺傅竹西; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(No.50532070);the Funds of Chinese Academy of Sciences for Knowledge Innovation Program(No.KJCX3.5YW.W01); A series ofn-ZnO/n-SiC/p-Si and n-ZnO/p-Si heterojunctions were prepared by DC sputtering. Their structural properties, I-V curves, photovoltaic effects and photo-response spectra were studied. The photoelectric conve...; 关键词：ZnO/SiC/Si heteroiunction ohotoelectric conversion photoresnonse spectrum

退火温度对ZnO/Si异质结光电转换特性的影响: 《材料导报》2010年第16期94-96,103,共4页张伟英刘振中赵建果傅竹西; 国家自然科学基金(50532070);中国科学院三期创新项(KJCX3.5YW.W01);洛阳师范学院校基金(2008-PYJJ-009); 采用直流反应溅射法在P-Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜,XRD测量表明ZnO为沿c轴高度取向的多晶薄膜,I-V特性曲线表明,ZnO/Si异质结具有明显的整流特性。研究了退火温度对异质结光电转换特性的影响,结果显示,合适的退火温度能显著增大异质...; 关键词：ZnO/Si异质结退火温度光伏效应

MOCVD制备SiC:Al薄膜的导电类型调控研究: 《功能材料》2010年第7期1271-1273,1277,共4页陈小庆孙利杰邬小鹏钟泽傅竹西; 国家自然科学基金资助项目(50532070);中国科学院三期创新方向性课题资助项目(KJCX3.5YW.W01); 用MOCVD方法在Si基片上生长了Al掺杂的SiC薄膜,发现三甲基铝(TMA)源载气流量与硅烷流量之比的大小,会决定薄膜的导电类型。用XPS方法测试样品后发现,TMA载气流量与硅烷流量比直接影响Al原子在SiC薄膜中的含量。Al含量在1.5%以下,Al原子...; 关键词：3C-SIC SiC:Al MOCVD 导电类型

退火温度及退火气氛对ZnO薄膜的结构及发光性能的影响(英文)被引量：5: 《发光学报》2010年第5期613-618,共6页张侠刘渝珍康朝阳徐彭寿王家鸥奎热西; supported by National Natural Science Foundation(50532070)~~; 采用脉冲激光沉积技术在Si/蓝宝石衬底上制备了ZnO薄膜,结合快速退火设备研究了不同退火温度（500900℃）及退火气氛（N2,O2）对薄膜的结构及其发光性能的影响。并优化条件得到具有最小半峰全宽及最大晶粒尺寸的薄膜。X射线衍射（XRD）...; 关键词：ZNO薄膜快速退火光致发光 X射线光电子能谱氧空位

氮气氛中高温退火对ZnO薄膜发光性质的影响被引量：7: 《发光学报》2010年第3期359-363,共5页钟泽孙利杰徐小秋陈小庆邬小鹏傅竹西; 国家自然科学基金(50532070);中科院知识创新方向性课题(KJCX35YWW01)资助项目; 以二乙基锌和水汽分别作为锌源和氧源,用LP-MOCVD方法在p型Si(100)衬底上生长了单一取向的ZnO薄膜。对得到的样品在氮气气氛中进行高温热处理,退火温度分别为900,1000,1100℃。利用室温PL谱、XRD、AFM、XPS等方法对样品的性质进行了研...; 关键词：氧化锌薄膜退火光致发光 MOCVD

Grain boundary layer behavior in ZnO/Si heterostructure: 《Journal of Semiconductors》2010年第3期15-18,共4页刘秉策刘磁辉徐军易波; supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.50472009,10474091,50532070).; The grain boundary layer behavior in ZnO/Si heterostucture is investigated. The current-voltage （I-V） curves, deep level transient spectra （DLTS） and capacitance-voltage （C-V） curves are measured. The transport ...; 关键词：ZnO/Si heterostructure grain boundary layer intrinsic defects deep level

退火处理对ZnO/Si异质结光电转换特性的影响被引量：1: 《材料导报》2010年第4期14-16,共3页张伟英刘振中刘照军梁会琴傅竹西; 国家自然科学基金(50532070);中国科学院三期创新项目(KJCX3.5YW.W01); 采用直流反应溅射方法在p型Si(100)衬底上生长掺Al的ZnO薄膜,并研究退火处理对ZnO薄膜性质的影响。XRD测量结果表明,ZnO薄膜为六方纤锌矿结构,退火后薄膜的晶粒长大,晶界减少;暗态I-V特性曲线表明,ZnO/Si异质结具有明显的整流特性,退火...; 关键词：退火异质结光电转换

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