国家自然科学基金(60106002)

作品数：3被引量：1H指数：1
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Ti中间层对超薄Ni膜硅化反应特性的影响
《Journal of Semiconductors》2005年第z1期45-48,共4页蒋玉龙 茹国平 屈新萍 李炳宗 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60106002,60206002)
在多种Si衬底上利用离子束溅射淀积超薄Ni膜以及Ni/Ti双层膜,经过快速热退火处理完成薄膜的固相硅化反应,通过四探针法、微区喇曼散射法和俄歇深度分布测试法研究了Ti中间层对Ni硅化反应的影响.实验结果证明Ti中间层抑制了集成电路生产...
关键词：硅化物 NISI 固相反应 
Co/C/Si(100)结构固相外延生长CoSi_2被引量：1
《Journal of Semiconductors》2003年第1期63-67,共5页屈新萍 徐蓓蕾 茹国平 李炳宗 W.Y.Cheung S.P.Wong Paul K.Chu 
国家自然科学基金 (批准号 :60 10 60 0 2 ) ;上海市教委资助;上海教育发展基金会曙光计划;中国教育部博士点基金;国家科委-比利时弗兰德合作资助项目~~
采用 Co/C/Si多层薄膜结构的中间层诱导固相外延方法在 Si(10 0 )上制备外延 Co Si2 薄膜 .用四探针电阻仪、XRD、AES、RBS等分析手段对该结构固相反应形成的薄膜的电学特性、组分、晶体结构等进行了表征 .结果表明 ,Co/C/Si多层结构经...
关键词：固相反应 固相外延 金属硅化物 二硅化钴 中间层诱导 
Ni/Pd/Si固相反应及NiSi热稳定性增强研究
《Journal of Semiconductors》2002年第11期1173-1177,共5页屈新萍 茹国平 李炳宗 C.Detavernier R.Van Meirhaeghe 
国家自然科学基金 (批准号 :60 10 60 0 2 ) ;上海市教委和上海教育发展基金会曙光计划 ;中国教育部博士点基金 ;国家科委 -比利时弗兰德合作资助项目~~
研究了 Ni/ Pd双层薄膜在硅衬底上的硅化物形成过程 .结果表明 ,加入 Pd层后 ,退火形成 Ni1 - x Pdx Si固熔体 ,该固熔体比 Ni Si的热稳定性好 ,使得 Ni Si向 Ni Si2 的转变温度升高 .加入 Pd的量越多 ,Ni Si2 的成核温度越高 ,并用经...
关键词：NISI 成核 固熔体 热稳定性 硅化镍 集成电路 镍钯硅三元化合物 Ni/Pd/Si固相反应 
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