国家自然科学基金(51375097)

作品数：14被引量：73H指数：6
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磁场分布对多磨头磁流变抛光材料去除的影响被引量：3
《润滑与密封》2020年第4期20-26,共7页路家斌 宾水明 阎秋生 黄银黎 熊强 
NSFC-广东省联合基金项目(U1801259);国家自然科学基金项目(51375097).
为研究磁场分布对材料去除的影响,设计轴向充磁异向排布、轴向充磁同向排布、径向充磁异向排布、径向充磁同向排布4种磁铁充磁和排布方式,利用有限元软件Maxwell仿真不同磁场的磁力线分布及抛光轮表面的磁感应强度分布,并采用数字特斯...
关键词：多磨头 磁流变抛光 磁场分布 材料去除 磁感应强度 塑性去除 
紫外光催化辅助SiC抛光过程中化学反应速率的影响被引量：8
《表面技术》2019年第11期148-158,共11页路家斌 熊强 阎秋生 王鑫 廖博涛 
NSFC-广东省联合基金(U1801259);国家自然科学基金项目(51375097);佛山市科技创新专项资金项目(2018IT100242)~~
目的为了探究紫外光催化辅助抛光过程中,化学反应速率对SiC化学机械抛光的影响规律。方法通过无光照、光照抛光盘和光照抛光液3种光照方式,研究紫外光催化辅助作用对单晶SiC抛光过程中材料去除率的影响。测量不同条件下光催化反应过程...
关键词：紫外光催化 单晶SiC 氧化还原电位 化学反应速率 抛光效果 
6H-SiC单晶紫外光催化抛光中光照方式和磨料的影响被引量：6
《金刚石与磨料磨具工程》2019年第3期29-37,共9页路家斌 熊强 阎秋生 王鑫 宾水明 
国家自科学基金项目(51375097);NSFC–广东省联合基金(U1801259)
研究紫外光辅助催化抛光6H-SiC单晶。用分光光度法定性检测不同光催化反应时间下甲基橙颜色变化和羟基自由基(·OH)浓度,研究无光照、光照抛光盘、光照抛光液3种光照方式及金刚石、碳化硅、二氧化硅、二氧化钛、硅溶胶5种磨料对6H-SiC...
关键词：紫外光催化辅助抛光 6H-SiC单晶 羟基自由基 光照方式 磨料 
陶瓷球高效超光滑磁流变柔性抛光新工艺研究被引量：7
《表面技术》2019年第2期268-274,共7页肖晓兰 阎秋生 潘继生 焦竞豪 
国家自然科学基金项目(51375097);广东省科技计划项目(2016A010102014);广东省自然科学基金项目(2015A030311044)~~
目的为实现陶瓷球表面的高效超光滑抛光,提出一种集群磁流变抛光陶瓷球的新工艺。方法在传统V型槽抛光陶瓷球的基础上增加集群磁极和上盘旋转动力,配制适当的磁流变抛光液,通过在上下抛光盘的集群磁极,形成磁流变抛光垫包覆陶瓷球,进行...
关键词：陶瓷球 集群磁流变抛光 运动轨迹仿真 表面粗糙度 球度 
磨料特性对InP晶片集群磁流变抛光效果的影响被引量：3
《半导体技术》2019年第1期32-37,50,共7页路家斌 孙世孔 阎秋生 廖博涛 
国家自然科学基金资助项目(51375097);广东省自然科学基金重点项目(2015A030311044);广东省科技计划项目(2016A010102014)
对InP晶片进行了集群磁流变抛光实验,研究了抛光过程中磨料参数(类型、质量分数和粒径)对InP材料去除速率和表面粗糙度的影响。实验结果表明,InP晶片的去除速率随磨料硬度的增加而变大,表面粗糙度受磨料硬度和密度的综合影响;在选取的...
关键词：INP 磁流变抛光 磨料 表面质量 材料去除速率 
氮化硅陶瓷球研磨抛光技术研究进展被引量：7
《广东工业大学学报》2018年第6期18-23,30,共7页肖晓兰 阎秋生 林华泰 焦竞豪 刘杰 
国家自然科学基金资助项目(51375097);广东省自然科学基金资助重点项目(2015A030311044);广东省科技计划项目(2016A010102014)
氮化硅陶瓷球是重大装备中轴承的关键基础元件,球体的超精密研磨抛光质量是影响轴承性能与寿命的重要因素.本文从加工方法的角度,总结了陶瓷球研磨抛光技术的研究进展,对不同的陶瓷球超精密复合抛光方法进行了比较分析,并提出了一种新...
关键词：氮化硅陶瓷球 研磨 复合加工 集群磁流变 抛光 
铝合金阳极氧化膜的集群磁流变平面抛光试验研究被引量：5
《润滑与密封》2018年第10期45-50,共6页潘文波 路家斌 阎秋生 
国家自然科学基金项目(51375097);广东省自然科学基金重点项目(2015A030311044);广东省科技计划项目(2016A010102014)
为获得抛光均匀的铝合金阳极氧化膜表面,采用集群磁流变平面抛光技术对铝合金阳极氧化膜进行抛光试验,探讨加工间隙、工件转速、抛光盘转速、偏摆幅度、加工时间等加工参数对其表面粗糙度和材料去除率的影响规律。结果表明:随着加工间...
关键词：铝合金阳极氧化膜 集群磁流变平面抛光 表面粗糙度 材料去除率 
硅溶胶抛光液稳定性及对SiC化学机械抛光的影响被引量：5
《半导体技术》2018年第9期664-668,共5页阎秋生 徐沛杰 路家斌 梁华卓 
广东省自然科学基金资助项目(2015A030311044);广东省科技计划项目(2016A010102014);国家自然科学基金资助项目(51375097)
通过在碱性硅溶胶中添加不同的芬顿试剂配制成不同的硅溶胶抛光液,检测其Zeta电位绝对值的大小,研究不同芬顿反应试剂对硅溶胶稳定性的影响,进而探究其稳定性对SiC化学机械抛光的影响。实验结果表明,原硅溶胶和加入H_2O_2的硅溶胶抛光液...
关键词：SIC 化学机械抛光(CMP) 硅溶胶 Zeta电位绝对值 表面粗糙度 稳定性 
动磁场磁流变效应抛光垫抛光力特性试验研究被引量：4
《机械工程学报》2018年第6期10-17,共8页潘继生 于鹏 阎秋生 
国家自然科学基金(51375097);广东省科技计划(2016A010102014);广东省自然科学基金重点(2015A030311044)资助项目
基于动磁场磁流变效应抛光方法,采用微型压电式传感器测试分析动磁场磁流变效应抛光垫法向抛光力特性,研究磁极转速、加工间隙、工件运动方式对动磁场磁流变效应抛光力的影响。结果表明,动磁场磁流变效应平面抛光法向力在抛光垫中心区...
关键词：动态磁场 磁流变抛光 法向力 扭矩 抛光垫 
磷化铟的化学机械抛光技术研究进展被引量：2
《半导体技术》2018年第3期201-210,共10页孙世孔 路家斌 阎秋生 
国家自然科学基金资助项目(51375097);广东省自然科学基金资助项目(2015A030311044);广东省科技计划资助项目(2016A010102014)
磷化铟单晶作为一种重要的外延层衬底材料被广泛应用于光电器件。衬底外延生长和电子器件制备要求磷化铟晶片表面具有极低的表面粗糙度、无表面/亚表面损伤和残余应力等,需对磷化铟晶片表面进行抛光加工,其表面质量决定了后续的外延层...
关键词：磷化铟 化学机械抛光(CMP) 抛光机理 抛光液 加工工艺 
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