国家自然科学基金(61176043)

作品数:36被引量:64H指数:5
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相关机构:华南师范大学广东工业大学烁光特晶科技有限公司肇庆学院更多>>
相关期刊:《Chinese Optics Letters》《电子元件与材料》《光谱学与光谱分析》《Science Bulletin》更多>>
相关主题:INGANLIGHT-EMITTING_DIODESYAG白光LED密度泛函理论更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
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纤锌矿Be_(1-x)Mg_xO合金的电子结构和相特性研究
《功能材料》2016年第3期146-150,157,共6页郑树文 张涛 张力 陈振世 
国家自然科学基金资助项目(61176043);广东省科技计划资助项目(2015B090903078);华南师范大学青年教师培育基金资助项目(2012KJ018)
采用第一性原理的平面波超软赝势方法,对纤锌矿Be_(1-x)Mg_xO合金的电子结构和相特性进行研究。结果显示,纤锌矿Be_(1-x)Mg_xO的能隙由价带顶O2p态和导带底Mg3s态共同决定。随着Mg组分的增大,Be_(1-x)Mg_xO合金的能隙逐渐变小,合金离子...
关键词:第一性原理 电子结构 相特性 Be1-xMgxO 
应变补偿InGaN/AlGaN超晶格改善近紫外LED性能
《电子元件与材料》2015年第8期42-46,共5页尹以安 章勇 范广涵 李述体 
国家自然科学基金项目资助(No.61176043);广州市科技计划项目资助(No.201510010229;No.2014J4100056);广东省科技计划资助项目(No.2013B040402009)
通过应变平衡理论设计出应变补偿的In0.1Ga0.9N/Al0.2Ga0.8N超晶格结构。为了验证该结构具有低的应变,实验生长了相应的样品,并通过双晶衍射(XRD)和拉曼(Raman)光谱实验证实其具有低应力。最后把该结构用于近紫外LED的两处构建,一是替...
关键词:应变平衡 InGaN/AlGaN超晶格 应变补偿 极化效应 p型欧姆接触电阻 近紫外LED 
β-Ga_2O_3掺Al的电子结构与能带特性研究被引量:3
《功能材料》2014年第12期12102-12107,共6页郑树文 范广涵 皮辉 
国家自然科学基金资助项目(61176043);广东省战略性新兴产业专项资金资助项目(2012A080304016);华南师范大学青年教师培育基金资助项目(2012KJ018)
采用第一性原理的平面波超软赝势方法,对β-Ga2O3掺Al的AlxGa2-xO3(x=0,0.5,1,1.5,2)合金进行结构优化、电子态密度和能带特性的研究。结果显示,AlxGa2-xO3为间接宽能隙材料,能隙是由导带底Ga 4s态和价带顶O 2p态共同决定,其弯曲系数分...
关键词:第一性原理 β-Ga2O3 AL掺杂 电子结构 能带特性 
光散射PC荧光树脂的制备及光学性能被引量:6
《光谱学与光谱分析》2014年第12期3178-3182,共5页肖瑶 范广涵 皮辉 许毅钦 陈志武 贺龙飞 喻晓鹏 张力 郑树文 张涛 
国家自然科学基金重点项目(61176043);广东省战略性新兴产业专项资金LED产业项目(2010A081002005;2011A081301003;2012A080304016);华南师范大学青年教师培养基金(2012kj018);华南师范大学研究生科研创新基金项目(2012kyjj223)资助
以聚碳酸酯(PC)粉体、有机硅光扩散剂和YAG∶Ce荧光粉为原料,通过熔融共混法和高温压模法及减薄抛光工艺制备出不同有机硅光扩散剂质量分数的PC/YAG∶Ce光散射荧光树脂样品,通过SEM、XRD、透射光谱和PL的性能分析,表明:荧光树脂样品...
关键词:荧光树脂 YAG∶Ce 聚碳酸酯 白光LED 
Effect of n-type barrier doping on steady and dynamic performance of InGaN light-emitting diodes
《Optoelectronics Letters》2014年第4期250-252,共3页陈贵楚 范广涵 
supported by the National Natural Science Foundation of China(No.61176043)
The steady and dynamic properties are comparatively investigated for the n-doped and non-doped InGaN LEDs. The simulated results show that the n-doped LED exhibits the superior luminescence and modulation performance,...
关键词:发光二极管 N型掺杂 动态性能 氮化铟镓 稳态 势垒 INGAN 仿真结果 
Ga掺杂对纤锌矿TM0.125Zn0.875O(TM=Be,Mg)电子结构和光学能隙的影响被引量:1
《物理学报》2014年第8期367-376,共10页郑树文 范广涵 张涛 皮辉 俆开放 
国家自然科学基金(批准号:61176043);广东省战略性新兴产业专项资金(批准号:2012A080304016);华南师范大学青年教师培育基金(批准号:2012KJ018)资助的课题~~
利用密度泛函理论的平面波超软赝势方法,对纤锌矿T M_(0.125)Zn_(0.875)O(TM=Be,Mg)合金和Ga掺杂T M_(0.125)Zn_(0.875)O的结构参数、能带、电子态密度和光学能隙进行计算和分析,结果表明:T M_(0.125)Zn_(0.875)O掺入Ga容易实现并且结...
关键词:密度泛函理论 光学能隙 Ga掺杂 Beo.125Zn0.8750和Mg0.125Zn0.8750 
W掺杂对β-Ga_2O_3导电性能影响的理论研究被引量:8
《物理学报》2014年第5期332-338,共7页郑树文 范广涵 何苗 赵灵智 
国家自然科学基金(批准号:61176043;11204090;61078046);广东省战略性新兴产业专项资金(批准号:2012A080304016);华南师范大学青年教师培育基金(批准号:2012KJ018)资助的课题~~
采用密度泛函理论的平面波超软赝势计算方法,对不同W掺杂浓度下β-Ga2O3的导电性能进行研究.计算了β-Ga2(1-x)W2x O3(x=0,0.0625,0.125)的优化参数、总态密度和能带结构.结果表明,W掺入β-Ga2O3使Ga2(1-x)W2x O3材料的体积增大,总能量...
关键词:β-Ga2O3 电导率 W掺杂 密度泛函理论 
Performance improvement of GaN-based light-emitting diode with a p-InAlGaN hole injection layer
《Chinese Physics B》2014年第2期557-560,共4页喻晓鹏 范广涵 丁彬彬 熊建勇 肖瑶 张涛 郑树文 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No.61176043);the Special Funds for Strategic and Emerging Industries Projects of Guangdong Province,China (Grant Nos.2010A081002005,2011A081301003,and 2012A080304016)
The characteristics of a blue light-emitting diode (LED) with a p-InA1GaN hole injection layer (HIL) is analyzed numerically. The simulation results indicate that the newly designed structure presents superior opt...
关键词:InGaN light-emitting diodes (LEDs) p-InA1GaN hole injection layer (HIL) numerical simulation 
热压烧结制备MgAl_2O_4/Ce:YAG透明陶瓷及显微结构被引量:1
《稀有金属材料与工程》2013年第S2期463-466,共4页贺龙飞 范广涵 雷牧云 娄载亮 郑树文 苏晨 张涛 
国家自然科学基金重点项目(61176043);广东省战略性新兴产业专项资金LED产业项目(2010A081002005;2011A081301003)
采用金属醇盐法制备MgAl2O4前躯体,通过高温煅烧得到纯相MgAl2O4粉体,再将其与YAG:Ce荧光粉均匀混合,利用热压烧结并结合热等静压处理得到(1-x)MgAl2O4/xCe:YAG(x=10%,20%,30%,40%,质量分数,下同)透明陶瓷。利用X射线衍射(XRD)、扫描电...
关键词:YAG 铝酸镁 透明陶瓷 白光LED 
Efficiency enhancement of an InGaN light-emitting diode with a p-AlGaN/GaN superlattice last quantum barrier被引量:1
《Chinese Physics B》2013年第11期656-660,共5页熊建勇 赵芳 范广涵 许毅钦 刘小平 宋晶晶 丁彬彬 张涛 郑树文 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant No.61176043);the Special Funds for Provincial Strategic and Emerging Industries Projects of Guangdong Province,China(Grant Nos.2010A081002005,2011A081301003,and 2012A080304016);the First Phase of Construction of Guangdong Research Institute of Semiconductor Lighting Industrial Technology,China(Grant No.2010A081001001);the High Efficiency LED Epitaxy and Chip Structure and Key Technology for Industrialization,China(Grant No.2012A080302002);the Youth Funding of South China Normal University(Grant No.2012KJ018)
In this study, the efficiency droop of an InGaN light-emitting diode (LED) is reduced slgnlncanUy oy using a p-AlGaN/GaN superlattice last quantum barrier. The reduction in efficiency droop is mainly caused by the d...
关键词:light-emitting diodes p-AlGaN/GaN superlattice last quantum barrier efficiency droop 
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