国家教育部博士点基金(20124307110016)

作品数：3被引量：1H指数：1
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65nm工艺双层三维静态存储器的软错误分析与评估
《国防科技大学学报》2016年第5期20-25,共6页李鹏 郭维 赵振宇 张民选 邓全 周宏伟 
国家自然科学基金资助项目(61373032;61303069);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20124307110016)
新兴的三维静态存储器将代替二维静态存储器被广泛用于高性能微处理器中,但它依然会受到软错误的危害。为了能够快速、自动分析多层管芯堆叠结构的三维静态存储器软错误特性,搭建了三维静态存储器软错误分析平台。利用该平台对以字线划...
关键词：三维静态存储器 软错误 分析平台 翻转截面 单粒子翻转 多位翻转 
TM-CAM:一种高效的容软错误相联存储器被引量：1
《计算机工程与科学》2014年第4期584-588,共5页孙岩 黎铁军 王发源 张民选 
国家自然科学基金资助项目(60970036);教育部博士点基金资助项目(20124307110016);国家863计划资助项目(2012AA01A301)
相联存储器是集成电路中对软错误最敏感的部件之一,但是其结构特点决定了不能使用错误保护码等传统容错方法进行保护。提出了一种容软错误的相联存储器结构TM-CAM,通过采用三值匹配线机制和仔细设计的三值灵敏放大器,能够检测相联存储...
关键词：相联存储器 软错误 可靠性 三值匹配 
基于简化电阻电容电路的单粒子效应应用研究
《计算机工程与科学》2014年第3期420-425,共6页邓全 王天琦 李鹏 张民选 肖立伊 
国家自然科学基金资助项目(60970036);教育部博士点基金资助项目(20124307110016)
随着器件尺寸缩小至纳米级,微观粒子对半导体器件的影响变得越来越明显。器件可靠性的研究近年来逐渐引起了人们的重视,开展了很多相关研究。以研究单粒子翻转效应为核心,在传统混合仿真的基础上,采用简化RC电路模型对简化电路的应用进...
关键词：单粒子效应 软错误 简化电阻电容电路模型 临位翻转预测 
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