国家自然科学基金(50572100)

作品数：15被引量：38H指数：4
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相关机构：中国科学技术大学山东大学河南大学淮北煤炭师范学院更多>>
相关期刊：《无机材料学报》《真空科学与技术学报》《核技术》《物理化学学报》更多>>
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Mn掺杂SiC磁性薄膜的结构表征被引量：2
《物理学报》2010年第7期4774-4780,共7页唐军 刘忠良 任鹏 姚涛 闫文盛 徐彭寿 韦世强 
国家自然科学基金(批准号:50572100;10635060;10725522)资助的课题~~
利用反射式高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)和X射线吸收近边结构谱(XANES)等技术研究了在950℃条件下Si(111)衬底上共蒸发分子束外延方法制备的Mn掺杂SiC磁性薄膜的结构特征.RHEED结果表明,生长的Mn掺杂SiC薄膜为立方结构.XRD和XA...
关键词：磁性薄膜 分子束外延 X射线衍射 X射线吸收近边结构谱 
不同衬底温度下预沉积Ge对SiC薄膜生长的影响被引量：5
《真空科学与技术学报》2009年第4期423-426,共4页刘忠良 唐军 任鹏 刘科 徐彭寿 潘国强 
国家自然科学基金(No.50572100)
分别在未沉积Ge和不同衬底温度(300、500、700℃)沉积Ge条件下,利用固源分子束外延(SSMBE)技术在Si衬底上外延SiC薄膜。通过反射式高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)等仪器对样品进行...
关键词：锗 碳化硅 反射高能电子衍射 固源分子束外延 预沉积温度 
6H-SiC(0001)-63^(1/3)×63^(1/3)R30°重构表面的同步辐射角分辨光电子能谱研究
《物理学报》2009年第6期4288-4294,共7页武煜宇 陈石 高新宇 Andrew Thye Shen Wee 徐彭寿 
国家自然科学基金(批准号:50572100,50872128)资助的课题~~
利用同步辐射角分辨光电子能谱(SRARPES)对6H-SiC(0001)-63^(1/3)×63^(1/3)R30°重构表面的电子结构和表面态进行了研究.通过鉴别价带谱中来自于体态的信息,可以推断出重构表面的费米能级位于体态价带顶之上(2.1±0.1)eV处.实验测出的...
关键词：角分辨光电子能谱 碳化硅(SiC) 电子结构 表面态 
室温下Cu/3C-SiC(111)界面形成的研究被引量：2
《真空科学与技术学报》2009年第1期42-45,共4页刘衍芳 李亮 刘金锋 刘忠良 徐彭寿 徐法强 潘海斌 
国家自然科学基金项目(No.50572100)
用同步辐射光电子能谱(SRPES)和X射线光电子能谱(XPS)的方法研究了室温下Cu/3C-SiC(111)界面的形成。在超高真空下,Cu慢慢沉积到2ML。Cu2p3/2用XPS测得,结合能从沉积0.08ML时的933.1eV移动到沉积2ML的932.8eV,Si2p用同步辐射光测得,峰...
关键词：CU 3C—SiC界面 肖特基势垒 同步辐射光电子能谱 
Mn／6H-SIC(0001)界面的同步辐射光电子能谱研究
《核技术》2008年第12期900-904,共5页武煜宇 刘金锋 孙柏 刘忠良 徐彭寿 陈秀芳 徐现刚 
国家自然科学基金(50572100)资助
本文利用同步辐射光电子能谱(SRPES)和X射线光电子能谱(XPS)对金属Mn在6H-SiC(0001)表面的生长模式和Mn/6H-SiC(0001)界面进行了研究。实验结果表明,常温下金属Mn在6H-SiC(0001)表面上表现为二维层状生长模式。随着金属Mn沉积膜厚的增加...
关键词：同步辐射 光电子能谱 欧姆接触 Mn/SiC 
预沉积Ge对Si(111)衬底上SSMBE外延生长SiC薄膜的影响被引量：1
《物理化学学报》2008年第7期1160-1164,共5页刘忠良 任鹏 刘金锋 唐军 徐彭寿 
国家自然科学基金(50572100)资助项目
利用固源分子束外延(SSMBE)生长技术,在Si(111)衬底上预沉积不同厚度(0、0.2、1nm)Ge,在衬底温度900℃,生长SiC单晶薄膜.利用反射式高能电子衍射仪(RHEED)、原子力显微镜(AFM)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)等实验技术,对生长的样品进行了...
关键词：锗 预沉积 碳化硅 硅衬底 固源分子束外延 
3C-SiC/Si(111)的掠入射X射线衍射研究被引量：6
《无机材料学报》2008年第5期928-932,共5页刘忠良 刘金锋 任鹏 李锐鹏 徐彭寿 潘国强 
国家自然科学基金(50572100)
在衬底温度为1000℃条件下,利用固源分子束外延(SSMBE)技术在Si衬底上生长3C-SiC单晶薄膜.RHEED结果显示在Si(111)上所生长的SiC薄膜为3C-SiC,并与衬底的取向基本一致.采用同步辐射掠入射X射线衍射(GID)技术并结合常规X射线衍射(XRD)研...
关键词：X射线衍射 掠入射衍射 硅 碳化硅 固源分子束外延 
蒸发速率对Si衬底上SSMBE外延SiC薄膜的影响被引量：2
《真空科学与技术学报》2008年第4期299-302,共4页刘忠良 刘金锋 任鹏 徐彭寿 
国家自然科学基金(No.50572100)
采用固源分子束外延(SSMBE)生长技术,用不同的蒸发速率,在Si(111)衬底上生长SiC薄膜。利用反射式高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)等实验技术,对生长的样品的形貌和结构进行研究。结果表明,在优化的蒸发速率(1.0...
关键词：蒸发速率 碳化硅 硅衬底 固源分子束外延 
6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构制备及其发光特性被引量：1
《物理化学学报》2008年第4期571-575,共5页刘金锋 刘忠良 任鹏 徐彭寿 陈秀芳 徐现刚 
国家自然科学基金(50572100)资助项目
利用固源分子束外延(SSMBE)生长技术,在1350K的衬底温度下,通过改变Si束流强度,在6H-SiC(0001)面上外延生长6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构薄膜,并用反射高能电子衍射(RHEED)与光致发光(PL)谱对生长的薄膜的晶型和发光特性进行表征.RH...
关键词：量子阱 碳化硅 固源分子束外延 反射高能电子衍射 光致发光 
硅碳比对Si(111)表面SSMBE异质外延SiC薄膜的影响被引量：2
《无机材料学报》2008年第3期549-552,共4页刘忠良 任鹏 刘金锋 徐彭寿 
国家自然科学基金(50572100)
利用固源分子柬外延(SSMBE)生长技术,在不同的硅碳蒸发速率比(Si/C)条件下,在Si(111)衬底上生长SiC单晶薄膜.利用反射式高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)等实验技术,对生长的样品形...
关键词：硅碳比 碳化硅 硅衬底 固源分子束外延 
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