云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 河北省科学技术研究与发展计划项目(07215138)

河北省科学技术研究与发展计划项目(07215138): 作品数：2被引量：2H指数：1; 导出分析报告; 相关作者：王娜孙卫忠刘彩池郝秋艳刘红艳更多>>; 相关机构：河北工业大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关主题：半绝缘砷化镓本征缺陷光学LECEL2更多>>; 相关领域：电子电信建筑科学更多>>

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大直径LEC Si-GaAs中深施主缺陷的红外光谱分析: 《现代仪器》2009年第5期41-42,50,共3页孙卫忠王娜王丽华郝秋艳刘彩池; 河北省自然科学基金(08B013);河北省科学技术研究与发展指导计划(07215138); 本文利用红外光谱分析技术系统分析大直径LEC (Light Energy Converter光能转换器)Si-GaAs中深施主缺陷EL2的浓度分布。实验结果表明,大直径LEC Si-GaAs深施主缺陷EL2浓度沿直径方向成w型分布,中心区域比较高,靠近中间区域最低,边缘区...; 关键词：半绝缘砷化镓 EL2 红外光谱分析

半绝缘砷化镓中本征缺陷的光学显微研究被引量：2: 《现代仪器》2008年第3期38-40,共3页刘红艳孙卫忠王娜郝秋艳刘彩池; 河北省科学技术研究与发展指导计划和河北工业大学博士启动基金(07215138); 本文利用光学显微技术系统分析热处理对液封直拉法生长的半绝缘砷化镓（LECSI-GaAs）中本征缺陷的影响。实验结果表明，晶体生长后的热处理可以影响砷沉淀的密度与分布。500℃热处理对As沉淀的密度无明显影响；真空条件下，在850-930℃...; 关键词：半绝缘砷化镓热处理砷沉淀光学显微技术

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