国家高技术研究发展计划(2006AA03Z360)

作品数：6被引量：20H指数：2
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相关机构：中国科学院硅存储技术公司中国科学院研究生院更多>>
相关期刊：《Journal of Semiconductors》《半导体技术》《微纳电子技术》《功能材料与器件学报》更多>>
相关主题：相变存储器互补金属氧化物半导体CMOS带隙基准温度系数电源抑制比更多>>
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Si_2Sb_2Te_5 phase change material studied by an atomic force microscope nano-tip
《Journal of Semiconductors》2009年第6期34-37,共4页刘彦伯 张挺 钮晓鸣 宋志棠 闵国全 张静 周伟民 万永中 张剑平 李小丽 封松林 
supported by the State Key Development Program for Basic Research of China (Nos. 2007CB935400, 2006CB302700);the National High Technology Research and Development Program of China (Nos. 2008AA031402, 2006AA03Z360);the Science and Technology Council of Shanghai (Nos. 0652nm052, 0752nm013, 0752nm014, 07QA14065, 07SA08);the Shanghai Postdoctoral Scientific Foundation (No. 07R214204);the China Postdoctoral Scientific Foundation (No. 20070420105);the National Natural Science Foundation of China (No. 60776058);the Chinese Academy of Sciences (No. 083YQA1001)
The Si2Sb2Te5 phase change material has been studied by applying a nano-tip（30 nm in diameter） on an atomic force microscopy system.Memory switching from a high resistance state to a low resistance state has been ac...
关键词：phase change electrical probe storage Si2Sb2Te5 
基于Sn掺杂Ge_2Sb_2Te_5的相变存储器器件单元存储性能
《功能材料与器件学报》2008年第3期609-613,共5页徐成 刘波 冯高明 吴良才 宋志棠 封松林 Bomy Chen 
国家973计划(2006CB302700);国家高技术研究发展计划(2006AA03Z360);中国科学院(Y2005027);上海科学技术委员会(05JC14076;0552nm043;AM0517;06QA14060;06XD14025;0652nm003;06DZ22017)资助
采用0.18μm标准工艺制备出基于Sn掺杂Ge2Sb2Te5相变材料的相变存储器器件单元,利用自行设计搭建的电学测试系统研究了其存储性能。结果表明:Sn的掺杂没有改变Ge2Sb2Te5的相变特性,其相变阈值电压和阈值电流分别为1.6V和25μA;实现了器...
关键词：Sn掺杂 Ge2Sb2Te5 相变存储器 器件单元 存储性能 
相变存储器驱动电路的设计与实现被引量：2
《半导体技术》2008年第5期431-434,共4页沈菊 宋志棠 刘波 封松林 
国家863计划(2006AA03Z360);国家重点基础研究发展计划(2007CB935400;2006CB302700);上海市科委资助项目(06QA14060;06XD14025;0652nm003;06DZ22017;0752nm013;07QA14065)
介绍了一种新型的相变存储器驱动电路的基本原理,设计了一种依靠电流驱动的驱动电路,整体电路由带隙基准电压源电路、偏置电流产生电路、电流镜电路及控制电路组成。该结构用于16Kb以及1Mb容量的相变存储器芯片的设计,并采用中芯国际集...
关键词：相变存储器 电流驱动 基准电压 偏置电流 电流镜 互补金属氧化物半导体 
一种高精度CMOS带隙基准电压源设计被引量：4
《半导体技术》2007年第9期792-795,共4页沈菊 宋志棠 刘波 封松林 朱加兵 
国家重点基础研究发展计划(2006CB302700);国家863计划(2006AA03Z360);中国科学院(Y2005027);上海市科委(05JC14076;0552nm043;AM0517;06QA14060;06XD14025;0652nm003;06DZ22017)
介绍了带隙基准电压源的基本原理,设计了一种高精度带隙基准电压源电路。该电路采用中芯国际半导体制造公司0.18μm CMOS工艺。Hspice仿真表明,基准输出电压在温度为-10～120℃时,温度系数为6.3×10-6/℃,在电源电压为3.0～3.6 V内,电...
关键词：带隙 电压源 温度系数 电源抑制比 互补金属氧化物半导体 
用于相变存储器的W亚微米管加热电极性能
《Journal of Semiconductors》2007年第7期1134-1138,共5页冯高明 刘波 吴良才 宋志棠 封松林 陈宝明 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB302700);国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03Z360);中国科学院(批准号:Y2005027);上海市科委(批准号:05JC14076;0552nm043;AM0517;06QA14060;06XD14025;0652nm003;06DZ22017)资助项目~~
为了降低C-RAM器件的操作电流,利用0.18μm标准CMOS工艺线制备出外径为260nm的W亚微米管加热电极,并对其进行了电学性能的表征.使用W亚微米管加热电极制备出C-RAM器件,并通过疲劳特性测试分析了器件失效的原因.结果表明,W亚微米管具有...
关键词：相变存储器 W亚微米管加热电极 电学性能 疲劳特性 
我国相变存储器的研究现状与发展前景被引量：14
《微纳电子技术》2007年第2期55-61,共7页刘波 宋志棠 封松林 
国家重点基础研究发展计划(2006CB302700);国家863计划(2006AA03Z360);中国科学院(Y2005027);上海市科委资助项目(05JC14076;0552nm043;AM0517;06QA14060;06XD14025;0652nm003;06DZ22017)
介绍了我国相变存储器的研究现状及面临的关键问题。提出了我国相变存储器的发展思路和目标:加强新型材料和器件结构等方面的基础研究,形成创新性的成果,同时加强专利战略布局;加强与国内半导体公司的合作,共同推进相变存储器的产业化进...
关键词：相变存储器 研究现状 发展前景 
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