国家教育部“211”工程(S-09109)

作品数：6被引量：32H指数：4
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透明导电ZnO:Sn薄膜光学和电学性能的研究进展
《半导体光电》2012年第1期1-6,共6页谌夏 方亮 吴芳 阮海波 魏文猴 黄秋柳 
国家自然科学基金项目(NCFC11074314;50942001);重庆大学研究生创新基金项目(CDJXS10102207);重庆大学"211工程"三期创新人才培养计划建设项目(S-09109);重庆大学大型仪器设备开放基金项目(2010063072;2010121556)
纯ZnO电阻率高,电学性能不稳定,通过掺杂其他元素提高其光电性能,制备出高质量的ZnO薄膜是实现其应用的关键。文章从制备方法、掺杂浓度和退火等方面综述了Sn掺杂ZnO(ZnO:Sn)薄膜光电性能的研究进展,提出了降低ZnO:Sn薄膜电阻率和提高...
关键词：宽禁带半导体材料 ZnO:Sn薄膜 光学性质 电学性质 
大功率LED封装用散热铝基板的制备与性能研究被引量：19
《材料导报》2011年第2期130-134,共5页方亮 钟前刚 何建 刘高斌 李艳炯 郭培 
重庆市科技攻关计划基金(CSTC2009AC4187);重庆大学"211工程"三期创新人才培养计划建设项目(S-09109);重庆大学大型仪器设备开放基金资助(2010063072)
通过正交试验分析了阳极氧化法制备LED封装用铝基板过程中电流密度、硫酸质量浓度、温度和时间等因素对其热阻、厚度、绝缘电阻率的影响,得到了制备低热阻铝基板的最佳工艺参数。根据优化参数制备了阳极氧化铝基板,将LED分别封装在自制...
关键词：LED 铝基板 阳极氧化 热阻 厚度 绝缘电阻率 
阳极氧化铝基板封装LED的结温与热阻的研究被引量：7
《半导体光电》2010年第6期842-845,共4页钟前刚 方亮 何建 艾超 魏文侯 
重庆市科技攻关计划项目(CSTC2009AC4187);重庆大学"211工程"三期创新人才培养计划建设项目(S-09109);重庆大学大型仪器设备开放基金资助项目
采用阳极氧化法制备了氧化铝薄膜铝基板,并将3种功率(1W、3W、5W)的3种颜色(红、蓝、绿)的9种LED分别封装在所制备的铝基板和深圳光恒光电公司的铝基板上,利用正向压降法测试了其结温和热阻,发现:在LED颜色和功率相同的情况下,自制阳极...
关键词：LED 结温 热阻 散热 铝基板 阳极氧化 正向压降法 
自蔓延高温合成多孔NiTi合金孔隙的SVR预测被引量：4
《稀有金属材料与工程》2010年第10期1719-1722,共4页蔡从中 温玉锋 裴军芳 朱星键 王桂莲 
教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-07-0903);教育部留学回国人员科研启动基金(教外司留[2008]101-1);重庆市自然科学基金(CSTC,2006BB5240);重庆大学“211工程”三期创新人才培养计划建设项目(S-09109)
根据自蔓延高温合成法(SHS)制备多孔NiTi合金孔隙试验所获得的实测数据集,应用基于粒子群算法(PSO)寻优的支持向量回归(SVR)方法,建立不同反应参数(温度,粒度和压坯密度)下合成的多孔NiTi合金孔隙的SVR预测模型,并与基于误差反向传播神...
关键词：自蔓延高温合成法 多孔 NITI合金 孔隙 SVR 预测结果 Synthesis 误差反向传播神经网络 预测模型 支持向量回归 方法 训练与测试 粒子群算法 SHS合成 制备 预测效果 预测精度 压坯密度 相关系数 理论指导 
碳掺杂TiO_2纳米管列阵的制备及其光催化性能的研究被引量：5
《材料导报》2010年第8期19-21,36,共4页肖鹏 李露 卢露 张云怀 
重庆市科委自然科学基金(CSTC;2009BB4047);重庆大学"211工程"三期创新人才培养计划建设项目(S-09109)
采用电化学阳极氧化法制备TiO2纳米管列阵,并在CO气氛中对TiO2纳米管样品进行焙烧。XPS研究表明,在CO中焙烧的样品产生了Ti-C峰,说明有C的掺杂。SEM及XRD衍射实验表明,随着焙烧温度的升高,C的掺杂加速了TiO2纳米管的晶型结构向金红石相...
关键词：TIO2纳米管 碳掺杂 光催化 亚甲基蓝 
透明导电ZnO∶In薄膜光电性能的研究进展
《材料导报》2009年第15期29-34,共6页方亮 彭丽萍 杨小飞 周科 吴芳 
重庆市自然科学基金(CSTC2007BB4137);重庆大学研究生创新基金(No.200904AlB0010314);重庆大学"211工程"三期创新人才培养计划建设项目(S-09109);重庆大学大型设备开放基金
本征ZnO是高阻材料,如何对其进行掺杂,提高其光电性能,制备出高质量的ZnO薄膜是实现其应用的关键。从晶体结构和能带结构、影响光电性能的因素、透明导电机制、提高光电性能的途径等方面综述了In掺杂ZnO(ZnO∶In)薄膜光电性能的研究进展...
关键词：宽禁带半导体材料 ZnO∶In薄膜 光学性质 电学性质 
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