国家教育部博士点基金(2103401110008)

作品数：3被引量：7H指数：2
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超浅结亚45nm MOSFET亚阈值区二维电势模型被引量：3
《电子学报》2015年第1期94-98,共5页韩名君 柯导明 
国家自然科学基金(No.61076086;No.06070458);高等学校博士学科点专项科研基金(No.2103401110008)
文章提出将亚阈值区超浅结MOSFET的氧化层和Si衬底划分为三个区域,得到三个区域的定解问题,并用特征函数展开法求出了因边界衔接条件而产生的未知系数,首次得到超浅结亚45nm MOSFET的二维电势半解析模型,并给出了亚阈值电流模型.通过与M...
关键词：超浅结亚45nm MOSFET 二维电势半解析模型 亚阈值电流 
超短沟道高k栅MOSFET寄生电容
《中国科学技术大学学报》2013年第10期822-829,共8页王敏 王保童 柯导明 
国家自然科学基金(61076086);高等学校博士学科点专项科研基金(2103401110008)资助
寄生电容不随器件尺寸的减小而成比例减小,因此对小尺寸器件寄生电容的研究就更有意义.本文首次用矩形等效源建立了MOSFET电势分布二维半解析模型,综合半解析法和特征函数展开法求出二维电势分布函数,并由此得出寄生电容的解析表达式....
关键词：超短沟道 寄生电容 高K材料 半解析模型 
超短沟道MOSFET电势的二维半解析模型被引量：5
《物理学报》2013年第9期469-476,共8页韩名君 柯导明 迟晓丽 王敏 王保童 
国家自然科学基金(批准号:61076086);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:2103401110008)资助的课题~~
本文根据超短沟道MOSFET的工作原理,在绝缘栅和空间电荷区引入两个矩形源,提出了亚阈值下电势二维分布的定解问题.通过半解析法和谱方法相结合,首次得到了该定解问题的二维半解析解,解的结果是一个特殊函数,为无穷级数表达式.该模型的...
关键词：半解析法 电势 阈值电压 MOSFET 
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