国家教育部博士点基金(20113601120006)

作品数：8被引量：17H指数：3
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相关作者：周浪黄海宾龚洪勇何玉平汪已琳更多>>
相关机构：南昌大学南昌工程学院贵州师范大学更多>>
相关期刊：《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》《功能材料》《半导体技术》《人工晶体学报》更多>>
相关主题：钝化PECVDHWCVDSIH非晶硅薄膜更多>>
相关领域：理学动力工程及工程热物理电子电信一般工业技术更多>>
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Formation of Epitaxial Heavy-doped Silicon Films by PECVD Method
《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》2018年第3期585-588,共4页黄海宾 YUE Zhihao HE Yuping YUAN Jiren ZENG Xiaoxing ZHOU Naigen 周浪 
Funded by the National Natural Science Foundation of China(Nos.61741404,61464007,51561022);the Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education of China(No.20113601120006);the Science and Technology Project of Education Department of Jiangxi Province,China(No.GJJ13010)
Plasma-enhanced CVD（PECVD） epitaxy at 200℃ was used to deposit heavy doped n-type silicon films. Post-annealing by rapid thermal processing was applied to improve the properties of the epitaxial layer. By analyzing...
关键词：heavy-doped n-type silicon epitaxial deposition PECVD 
HWCVD工艺参数对a-Si∶H薄膜结构及其对单晶硅片钝化效果的影响研究被引量：5
《功能材料》2015年第22期22067-22070,22073,共5页何玉平 黄海宾 周浪 宁武涛 袁吉仁 李丹 
国家自然科学基金资助项目(61306084;61464007);教育部博士点基金资助项目(20113601120006);江西省教育厅青年基金资助项目(GJJ13010);贵州省科学技术基金资助项目[黔科合J字LKS(2013)15号]
采用HWCVD法双面沉积a-Si∶H膜钝化n-Cz-Si片表面,利用光谱型椭偏测试仪和傅里叶红外光谱仪研究沉积气压、电流和热丝衬底间距对a-Si∶H薄膜结构及钝化性能的影响。结果表明,(1)薄膜中SiH2键相对SiH键含量随气压升高逐渐减少,随电流增...
关键词：HWCVD a-Si∶H 钝化 ε_(2) FT-IR SiH_(n) 微观结构参数R^(*) 
a-Si:H基薄膜中SiH及SiH_2键构成对n型直拉单晶硅片钝化效果的影响研究被引量：2
《真空科学与技术学报》2015年第8期970-974,共5页何玉平 黄海宾 龚洪勇 周浪 
国家自然科学基金资助项目(61306084;61464007);教育部博士点基金资助项目(20113601120006);江西省教育厅青年基金资助项目(GJJ13010)
n型单晶硅表面本征非晶硅基薄膜（a-Si∶H）的钝化作用是高效率非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的关键。本文采用掺氧和热处理的方式改变本征非晶硅基薄膜（a-Si∶H）样品中SiH和SiH2键构成,利用Sinton WCT-120少子寿命测试仪及傅里叶红外...
关键词：掺氧 热处理 本征非晶硅薄膜 钝化 SiH键 SiH2键 
热丝电流对HWCVD制备α-Si∶H膜结构及钝化效果的影响被引量：3
《半导体技术》2015年第8期606-610,共5页宁武涛 何玉平 黄海宾 周浪 
国家自然科学基金资助项目(61306084;61464007);教育部博士点基金资助项目(20113601120006)
采用热丝化学气相沉积（HWCVD）方法沉积本征非晶硅薄膜,研究了热丝电流对薄膜结构及其钝化单晶硅片效果的影响。采用光谱型椭偏仪分析了非晶硅薄膜的介电常数虚部ε2和薄膜空位浓度的变化,采用傅里叶红外光谱测试仪分析了膜中Si—HX键...
关键词：热丝化学气相沉积(HWCVD) 本征非晶硅 钝化 硅氢键 空位浓度 
晶体硅金字塔绒面结构圆化对其光反射率和非晶硅薄膜钝化效果的影响被引量：6
《人工晶体学报》2015年第4期913-917,共5页龚洪勇 黄海宾 周浪 
国家自然科学基金(61306084);教育部博士点基金(20113601120006);江西省赣鄱英才555计划项目(201110)
(001)晶体硅金字塔绒面结构圆化有提高光反射率与提高非晶硅薄膜钝化效果的相互矛盾的双重作用,定量了解它们对优化非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的绒面结构圆化程度很有必要。本文以表面粗糙度Rz相对下降百分数定量表征晶体硅衬底表面...
关键词：晶体硅 绒面 非晶硅 钝化 圆化 
低速率沉积非晶硅薄膜钝化Cz-Si片的研究被引量：1
《太阳能学报》2015年第3期529-533,共5页龚洪勇 黄海宾 高江 周浪 
江西省赣鄱英才555计划(201110);教育部博士点基金(20113601120006);国家自然科学基金(61306084)
采用PECVD法在低沉积速率(<1?/s)条件下制备非晶硅,双面钝化n型Cz硅片(40 mm×40 mm),钝化最好的硅片平均少子寿命值为889μs,局部最高近1600μs,用准稳态光电导法测试的平均伪开路电压i Voc达722 m V。对FTIR测试结果分析表明:非晶硅...
关键词：氢化非晶硅 PECVD 低沉积速率 钝化 
α-SiO_x∶H钝化Cz-Si表面的工艺优化与机制分析被引量：4
《功能材料》2014年第9期101-103,共3页黄海宾 张东华 汪已琳 龚洪勇 高江 Wolfgang R.Fahrner 周浪 
国家自然科学基金资助项目(61306084);教育部博士点基金资助项目(20113601120006)
氢化非晶氧化硅(α-SiOx∶H)是一种优质的硅片表面钝化材料。采用PECVD法,以SiH4、CO2和H2作为气源制备α-SiOx∶H薄膜钝化Cz-Si表面,研究了沉积气压和CO2∶SiH4流量比对钝化效果的影响规律及作用机制。采用准稳态光电导法测试了硅片的...
关键词：氢化非晶氧化硅 PECVD 硅片表面钝化 空位浓度 氢含量 
类单晶硅锭中的亚晶粒结构分析被引量：2
《半导体技术》2013年第2期135-139,共5页汪已琳 张东华 汤斌兵 周浪 
高等学校博士学科点专项基金新教师类(20113601120006)
当前类单晶硅锭生长技术已能容易地获得尺寸数倍于太阳电池硅片的<001>取向的超大"晶粒",但在其硅片中存在亚晶粒。采用位错刻蚀与显微观察、X射线双晶衍射和背散射电子衍射(EBSD),研究了该类硅片的亚晶粒及亚晶界结构。结果表明:硅片...
关键词：类单晶硅 亚晶粒 亚晶界 位错 背散射电子衍射 位向差 
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