HWCVD

作品数：18被引量：36H指数：5
导出分析报告
相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：黄海宾刘丰珍周浪朱美芳何玉平更多>>
相关机构：南昌大学中智(泰兴)电力科技有限公司大连理工大学中国科学院研究生院更多>>
相关期刊：《光电子．激光》《真空科学与技术学报》《Journal of Semiconductors》《Fluid Dynamics & Materials Processing》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
Determination of a Safe Distance for Atomic Hydrogen Depositions in Hot-Wire Chemical Vapour Deposition by Means of CFD Heat Transfer Simulations被引量：5
《Fluid Dynamics & Materials Processing》2020年第2期225-235,共11页Lionel Fabian Fourie Lynndle Square 
A heat transfer study was conducted,in the framework of Computational Fluid Dynamics(CFD),on a Hot-Wire Chemical Vapour Deposition(HWCVD)reactor chamber to determine a safe deposition distance for atomic hydrogen prod...
关键词：Heat transfer HWCVD OPENFOAM atomic hydrogen 
气体流量对氢化非晶氧化硅(a-SiO_x∶H)钝化性能影响被引量：1
《南昌工程学院学报》2018年第4期53-56,90,共5页何玉平 袁贤 刘宁 黄海宾 
江西省青年科学基金资助项目(20171BAB216014)
本征钝化层是非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的核心技术之一,以n型直拉单晶硅片(n-Cz-Si)为衬底采用热丝化学气相沉积法(HWCVD)沉积氢化非晶氧化硅(a-SiO_x∶H),研究气体流量对其钝化性能的影响。结果表明,CO_2,H_2,SiH_4流量均能显著的影...
关键词：气体流量 氢化非晶氧化硅(a-SiOx∶H) HWCVD 少子寿命 椭偏 
热丝CVD法沉积超薄α-Si∶H钝化膜被引量：3
《半导体技术》2017年第5期376-381,386,共7页田罡煜 王涛 黄海宾 孙喜莲 高超 岳之浩 袁吉仁 周耐根 周浪 
国家自然科学基金资助项目(61306084;61464007;51561022);江苏省能量转换材料与技术重点实验室开放课题基金资助项目(NJ20160032);江西省重点研发计划-技术引进与合作研究-重点项目(2016BBH80043)
采用热丝化学气相沉积法在n型直拉单晶硅圆片表面双面沉积厚度为10 nm的本征非晶硅(α-Si∶H)薄膜。利用光谱型椭偏测试仪和准稳态光电导法研究热丝电流、H_2体积流量和热丝与衬底之间的距离对α-Si∶H薄膜结构和钝化效果的影响。结果表...
关键词：热丝化学气相沉积(HWCVD) 介电常数 非晶硅(α-Si:H)薄膜 钝化 带有 本征薄层的异质结(HIT) 
热丝CVD法沉积固态扩散源制备晶硅太阳电池p^+/n^+发射极研究被引量：2
《人工晶体学报》2016年第11期2591-2595,共5页宿世超 王涛 韩宇哲 田罡煜 黄海宾 高超 岳之浩 袁吉仁 周浪 
国家自然科学基金(61306084;61464007);江苏省能量转换材料与技术重点实验室开放课题基金(NJ20160032);江西省重点研发计划-技术引进与合作研究-重点项目(2016BBH80043)
为进一步提高晶硅太阳能电池发射极的性能,本文提出了一种新的发射极制备技术-低温CVD法沉积固态薄膜扩散源并进行高温扩散。采用热丝化学气相沉积法(HWCVD)在单晶硅片上沉积重掺杂硅基薄膜作为固态扩散源,然后在空气氛围下的管式炉中...
关键词：HWCVD 晶硅太阳电池 固态扩散源 发射极 方阻 
HWCVD低温制备超薄硼掺杂纳米晶硅薄膜
《人工晶体学报》2016年第8期2003-2010,共8页郭宇坤 周玉荣 陈瑱怡 马宁 刘丰珍 
国家重点基础研究发展计划(973计划)(2011CBA00705);青年教师科研启动基金(201524)
采用热丝化学气相沉积（HWCVD）技术在低温条件下（100℃）制备超薄（-30 nm）的硼掺杂硅薄膜。系统研究了氢稀释比例RH对薄膜的微结构和电学性能的影响。当RH由55增加至115,薄膜的有序度增加,晶化率升高,载流子浓度增加,暗电导率增加;...
关键词：热丝化学气相沉积 硅薄膜 硼掺杂 电学性能 
HWCVD工艺参数对a-Si∶H薄膜结构及其对单晶硅片钝化效果的影响研究被引量：6
《功能材料》2015年第22期22067-22070,22073,共5页何玉平 黄海宾 周浪 宁武涛 袁吉仁 李丹 
国家自然科学基金资助项目(61306084;61464007);教育部博士点基金资助项目(20113601120006);江西省教育厅青年基金资助项目(GJJ13010);贵州省科学技术基金资助项目[黔科合J字LKS(2013)15号]
采用HWCVD法双面沉积a-Si∶H膜钝化n-Cz-Si片表面,利用光谱型椭偏测试仪和傅里叶红外光谱仪研究沉积气压、电流和热丝衬底间距对a-Si∶H薄膜结构及钝化性能的影响。结果表明,(1)薄膜中SiH2键相对SiH键含量随气压升高逐渐减少,随电流增...
关键词：HWCVD a-Si∶H 钝化 ε_(2) FT-IR SiH_(n) 微观结构参数R^(*) 
衬底偏压对HWCVD制备纳米晶硅薄膜结晶性的影响
《光电子．激光》2015年第12期2325-2330,共6页张磊 沈鸿烈 尤佳毅 钱斌 罗琳琳 
国家高技术研究发展计划(863)计划(2006AA03Z219);江苏省高校自然科学研究(14KJB480001);江苏高校优势学科建设工程;苏州市科技计划(SGZ2013126)资助项目
通过在热丝化学气相沉积(HWCVD)制备纳米晶硅薄膜过程中施加衬底偏压,研究衬底偏压对HWCVD制备纳米晶硅薄膜结晶性能的影响。利用拉曼(Raman)光谱,X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对所制备的纳米晶硅薄膜的结构性能进行分析。结果...
关键词：纳米晶硅薄膜 热丝化学气相沉积(HWCVD) 衬底偏压 结晶度 
热丝电流对HWCVD制备α-Si∶H膜结构及钝化效果的影响被引量：4
《半导体技术》2015年第8期606-610,共5页宁武涛 何玉平 黄海宾 周浪 
国家自然科学基金资助项目(61306084;61464007);教育部博士点基金资助项目(20113601120006)
采用热丝化学气相沉积（HWCVD）方法沉积本征非晶硅薄膜,研究了热丝电流对薄膜结构及其钝化单晶硅片效果的影响。采用光谱型椭偏仪分析了非晶硅薄膜的介电常数虚部ε2和薄膜空位浓度的变化,采用傅里叶红外光谱测试仪分析了膜中Si—HX键...
关键词：热丝化学气相沉积(HWCVD) 本征非晶硅 钝化 硅氢键 空位浓度 
Properties of Boron-doped μc-Ge:H Films Deposited by Hot-wire CVD
《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》2015年第3期516-519,共4页黄海宾 沈鸿烈 WU Tianru LU Linfeng TANG Zhengxia SHEN Jiancang 
Funded by the National High-tech Research and Development Program of China(863 Program)(No.2006AA03Z219);Graduate Innovation Plan of Nanjing University of Aeronautics and Astronautics(No.BCXJ08-10);the National Natural Science Foundation of China(No.61306084)
Boron-doped hydrogenated microcrystalline Germanium （lac-Ge：H） films were deposited by hot-wire CVD. H2 diluted G-ell4 and B2H6 were used as precursors and the substrate temperature was kept at 300 ℃. The properti...
关键词：Boron pc-Ge：H film HWCVD crystalline fraction conductivity Hall mobility 
HWCVD与RF-PECVD复合技术制备微晶硅薄膜的性能
《中国表面工程》2012年第4期84-88,共5页孙晓飞 张贵锋 侯晓多 冯煜东 
教育部重点科技创新项目培养基金((N01707015);表面工程国家重点实验室基金(9140C540105080C5402)
采用热丝化学气相沉积(HWCVD)和射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)相结合的技术,在普通载玻片和聚酰亚胺衬底上沉积制备微晶硅薄膜。系统考查了热丝到衬底的距离对沉积薄膜结构和性能的影响规律,用拉曼光谱仪、X-射线衍射仪(XRD)、紫...
关键词：微晶硅薄膜 射频等离子体增强化学气相沉积 热丝气相沉积 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部