国家自然科学基金(60706001)

作品数：3被引量：2H指数：1
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Si_(0.2)Ge_(0.8)/Ge异质结的离子束辅助固相外延生长
《微纳电子技术》2011年第12期797-801,共5页徐文婷 肖清华 常青 屠海令 
国家自然科学基金资助项目(60706001);国家科技重大专项资助项目(2008ZX02401)
采用离子束辅助固相外延技术,在Ge基片上制备了SiGe/Ge异质结。利用高分辨透射电镜(HRTEM)、能量散射谱(EDX)、喇曼散射谱对SiGe/Ge异质结的形貌、成分和结构等物理性质进行了表征。还利用上述分析手段研究了固相外延温度对SiGe/Ge异质...
关键词：SiGe/Ge 异质结 离子注入 固相外延 缺陷 
黑硅制备技术及其应用的研究进展被引量：2
《稀有金属》2010年第6期930-935,共6页徐文婷 屠海令 常青 肖清华 
国家自然科学基金(60706001)资助项目
基于黑硅材料的发展,讨论了国内外在黑硅制备技术方面的研究进展,包括反应离子刻蚀法、飞秒激光脉冲法、电化学刻蚀法及金属辅助刻蚀法,总结了各种工艺在应用上的特点,对黑硅材料当前取得的应用及发展进行了综述。结果表明:黑硅材料的...
关键词：黑硅 微结构 反射率 
卢瑟福背散射谱和红外干涉反射谱研究冷注入锗离子对单晶硅的损伤
《稀有金属》2009年第6期879-883,共5页肖清华 王敬欣 
国家自然科学基金项目(60706001)资助
主要研究锗离子在77 K温度下的冷注入对单晶硅片表面的预非晶化效果,并与室温注入情形予以对比。卢瑟福背散射谱(RBS)和红外干涉反射谱被用于对非晶层的研究。实验表明,冷注入要比室温注入的退沟道效应更为显著,反射率降低更为明显,意...
关键词：硅 锗 冷注入 损伤 卢瑟福背散射谱 红外干涉反射谱 
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