SBDS

作品数：16被引量：31H指数：3
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相关领域：电子电信医药卫生更多>>
相关作者：木冠南刘光恒唐丽斌秦宇飞江华更多>>
相关机构：云南大学天津金域医学检验实验室有限公司天津医科大学复旦大学更多>>
相关期刊：《生物技术》《Fundamental Research》《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》《稀土》更多>>
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基于InP/InGaAs肖特基二极管的高灵敏太赫兹探测器
《太赫兹科学与电子信息学报》2025年第1期40-43,共4页周静涛 金智 苏永波 史敬元 丁武昌 张大勇 杨枫 刘桐 
InP/InGaAs肖特基二极管(SBDs)探测器因其高电子迁移率和低势垒材料特性,具有非常高的电压响应灵敏度,广泛用于高灵敏太赫兹波探测技术中。为进一步降低器件寄生效应,提升其高频性能,本文提出一种无衬底单台面T型结新型结构的肖特基器件...
关键词：太赫兹检测器 肖特基二极管(SBDs) T型结 无衬底单台面 
SBDS基因变异致Shwachman-Diamond综合征1例患儿的临床及遗传学分析
《中华医学遗传学杂志》2024年第2期209-214,共6页李素丽 于志丹 周方 王欢 王跃生 梅世月 李小芹 
国家自然科学基金(81903330、81701125);河南省医学科技攻关联合共建项目(LHGJ20220733)。
目的探讨1例SBDS基因变异致Shwachman-Diamond综合征(SDS)患儿的临床特点及基因变异情况。方法选择2022年2月因"间断腹泻、便血7月余"就诊于郑州大学附属儿童医院消化科1例SDS女性患儿作为研究对象,收集其临床资料。收集患儿、患儿父母...
关键词：SBDS基因 Shwachman-Diamond综合征 基因 变异 儿童 
Proton irradiation-induced dynamic characteristics on high performance GaN/AlGaN/GaN Schottky barrier diodes
《Chinese Physics B》2023年第8期404-408,共5页张涛 李若晗 苏凯 苏华科 吕跃广 许晟瑞 张进成 郝跃 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant No.62104185);the Fundamental Research Funds for the Central Universities,China(Grant No.JB211103);the National Natural Science Foundation for Distinguished Young Scholars,China(Grant No.61925404);the Wuhu and Xidian University Special Fund for Industry–University-Research Cooperation,China(Grant No.XWYCXY-012021010)。
Dynamic characteristics of the single-crystal Ga N-passivated lateral AlGaN/GaN Schottky barrier diodes(SBDs)treated with proton irradiation are investigated.Radiation-induced changes including idealized Schottky inte...
关键词：AlGaN/GaN SBDs GaN passivation layer proton irradiation dynamic on-resistance 
施-戴综合征1例报道及文献复习
《中国医药》2023年第6期918-921,共4页叶芝旭 熊小芬 崔玉霞 范丽 
国家自然科学基金(81860003);贵州省(第六批)高层次创新型人才“千”层次人才(GZSYQCC2023011)。
本文回顾分析1例经基因检测明确诊断的施-戴综合征(Shwachman-Diamond综合征,SDS)患儿的临床资料,并结合相关文献总结SDS的临床表现、基因特征及治疗。该患儿为3个月男婴,以反复肺部感染为首发临床表现,伴胰腺外分泌功能障碍(营养不良...
关键词：Shwachman-Diamond综合征 肝功能异常 反复感染 中性粒细胞减少 SBDS基因突变 
1例SBDS基因变异导致Shwachman-Diamond综合征1型的遗传学分析和产前诊断被引量：1
《兰州大学学报（医学版）》2023年第3期83-85,89,共4页李嘉璇 王玉佩 周秉博 张钏 郝胜菊 唐娇 赵磊 马俊 惠玲 
甘肃省科技计划资助项目(21JR7RA680);兰州市科技计划资助项目(2021-1-182);甘肃卫生行业科研计划资助项目(GSWSKY2021-021)。
施瓦赫曼-戴蒙德综合征(SchwachmanDiamond syndrome,SDS,OMIM:260400)是一种常染色体隐性遗传的多系统核糖体病,是仅次于胰腺囊性纤维化的第二大常见原因[1-2]。患者常表现为生长迟缓和身材矮小[3],其致病基因SBDS(Shwachman-Bodian-Di...
关键词：施瓦赫曼-戴蒙德综合征综合征 SBDS基因 全外显子组测序 
SBDS基因突变相关血细胞减少患儿的临床特点分析被引量：2
《中国小儿血液与肿瘤杂志》2022年第2期97-100,105,共5页胡政斌 伍巧微 李卓燕 张伟娜 孙新 江华 
国家自然基金(青年)项目(81800140)。
目的探讨Shwachman-Bodian-Diamond syndrome(SBDS)基因突变相关血细胞减少儿童的临床特点。方法回顾性分析我院7名SBDS基因相关血细胞减少患儿的临床资料及基因信息,描述这些患儿的临床特点及诊治经过。结果7名患儿均携带SBDS基因突变...
关键词：SBDS基因 Shwachman-diamond syndrome 杂合突变 血细胞减少 
Efficient thermal dissipation in wafer-scale heterogeneous integration of single-crystalline𝛽β-Ga_(2)O_(3)thin film on SiC被引量：2
《Fundamental Research》2021年第6期691-696,共6页Wenhui Xu Tiangui You Yibo Wang Zhenghao Shen Kang Liu Lianghui Zhang Huarui Sun Ruijie Qian Zhenghua An Fengwen Mu Tadatomo Suga Genquan Han Xin Ou Yue Hao Xi Wang 
supported by the funding from National Natural Science Foundation of China(Grants No.61851406,61874128,and U1732268);Frontier Science Key Program of CAS(Grant No.QYZDY-SSWJSC032);Program of Shanghai Academic Research Leader(Grant No.19XD1404600);K.C.Wong Education Foundation(Grant No.GJTD-2019-11);Shenzhen Science and Technology Innovation Program(Grant No.JCYJ20190806142614541).
The semiconductor,β-Ga_(2)O_(3)is attractive for applications in high power electronic devices with low conduction loss due to its ultra-wide bandgap(∼4.9 eV)and large Baliga’s figure of merit.However,the thermal c...
关键词：Thermal management Heterogeneous integration Wafer scale𝛽β-Ga_(2)O_(3)on SiC Ion-cutting technique Schottky barrier diodes(SBDs) Transient thermoreflectance(TTR) measurements 
Shwachman-Diamond综合征8例病例系列报告被引量：6
《中国循证儿科杂志》2021年第2期146-151,共6页杨蜜 孙碧君 侯佳 王文婕 应文静 惠晓莹 孙金峤 王晓川 
上海市卫生健康委员会青年课题:20164Y0056。
背景Shwachman-Diamond综合征(SDS)主要表现为骨髓衰竭、胰腺外分泌功能不全、骨骼异常三联征。约90%SDS患儿为SBDS基因突变,EFL1、DNAJC21、SRP54基因突变也可导致SDS样综合征。既往报道SBDS基因型与血液表型无明显相关性。目的总结SD...
关键词：Shwachman-Diamond综合征 SBDS SRP54 粒细胞缺乏 免疫缺陷 
Review of gallium oxide based field-effect transistors and Schottky barrier diodes被引量：9
《Chinese Physics B》2019年第1期65-81,共17页Zeng Liu Pei-Gang Li Yu-Song Zhi Xiao-Long Wang Xu-Long Chu Wei-Hua Tang 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61774019,51572033,and 51572241);the Beijing Municipal Commission of Science and Technology,China(Grant No.SX2018-04)
Gallium oxide(Ga_2O_3), a typical ultra wide bandgap semiconductor, with a bandgap of ~4.9 e V, critical breakdown field of 8 MV/cm, and Baliga's figure of merit of 3444, is promising to be used in high-power and high...
关键词：GALLIUM oxide(Ga2O3) FIELD-EFFECT transistors(FETs) Schottky barrier diodes(SBDs) 
Fabrications and characterizations of high performance 1.2 kV,3.3 kV, and 5.0 kV class 4H–SiC power SBDs被引量：1
《Chinese Physics B》2016年第4期314-319,共6页宋庆文 汤晓燕 袁昊 王悦湖 张艺蒙 郭辉 贾仁需 吕红亮 张义门 张玉明 
supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61404098,61176070,and 61274079);the Doctoral Fund of Ministry of Education of China(Grant Nos.20110203110010 and 20130203120017);the National Key Basic Research Program of China(Grant No.2015CB759600);the Key Specific Projects of Ministry of Education of China(Grant No.625010101)
In this paper, 1.2 kV, 3.3 kV, and 5.0 kV class 4H-SiC power Schottky barrier diodes （SBDs） are fabricated with three N-type drift layer thickness values of 10 μm, 30μm, and 50 μm, respectively. The avalanche bre...
关键词：4H-SIC Schottky-barrier diodes BREAKDOWN differential specific-on resistance 
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