SUPERJUNCTION

作品数：18被引量：21H指数：3
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：李肇基方健乔明黄淮吴郁更多>>
相关机构：电子科技大学北京工业大学更多>>
相关期刊：《物理学报》《Journal of Semiconductors》《The Journal of China Universities of Posts and Telecommunications》《Chinese Physics B》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 主题=MOSFETx
共 条 记 录，以下是1-3
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
A superjunction structure using high-k insulator for power devices:theory and optimization
《Journal of Semiconductors》2016年第6期116-121,共6页黄铭敏 陈星弼 
supported by the National Natural Science Foundation of China(No.51237001)
A superjunction（SJ） structure using a high-k（Hk） insulator is studied and optimized by using an analytic model.Results by using the proposed model match well with that of numerical calculations.Numerical calculati...
关键词：high-k（Hk） superjunction MOSFET specific on-resistance charge imbalance 
A novel superjunction MOSFET with improved ruggedness under unclamped inductive switching被引量：1
《Chinese Physics B》2012年第4期612-618,共7页任敏 李泽宏 邓光敏 张灵霞 张蒙 刘小龙 谢加雄 张波 
supported by the National Key Scientific and Technological Project (Grant No. 2011ZX02503-005);the Fundamental Research Funds for the Central Universities, China (Grant No. ZYGX2010J038);the Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education of China (Grant No. 20110185120005)
The ruggedness of a superjunction metal-oxide semiconductor field-effect transistor （MOSFET） under unclamped inductive switching conditions is improved by optimizing the avalanche current path. Inserting a P-island ...
关键词：avalanche current path unclamped inductive switching SUPERJUNCTION MOSFET 
降低功率MOSFET导通电阻R_(ON)的研究进展被引量：4
《电力电子》2007年第4期13-18,共6页黄淮 吴郁 亢宝位 
本文综述了降低功率MOSFET导通电阻的研究进展,从打破硅极限与降低沟道电阻两方面入手,介绍与分析了降低的各种新结构、新思想,并对其进行比较。最后,列出了其它降低导通电阻的方法。
关键词：MOSFET 导通电阻 COOLMOSFET SUPERJUNCTION RESURE FLIMOSFET Super 3D 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部