镇流电阻

作品数：23被引量：23H指数：2
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基于热电模型的多发射极功率HBTs非均匀镇流电阻设计
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期439-442,共4页金冬月 张万荣 谢红云 王扬 邱建军 
国家自然科学基金(批准号:60376033)、北京市教委科技发展计划(批准号:KM200710005015)、北京市优秀跨世纪人才基金(批准号:67002013200301)及模拟集成电路国家重点实验室基金(批准号:51439010804QT0101)资助项目
在考虑发射结电压随温度的变化和发射极加入镇流电阻的情况下,给出简化的三维热电模型,用以计算功率HBT芯片表面温度分布.分析表明,对于采用均匀发射极镇流电阻设计的功率HBT,芯片中心发射极条温度最高,严重限制了器件的功率处理能力....
关键词：异质结双极晶体管 热电模型 发射极镇流电阻 
垂直发射极镇流电阻在HBT中的发射极电流集边效应中的作用被引量：2
《Journal of Semiconductors》2002年第6期624-627,共4页常玉春 崔洪峰 王金忠 宋俊峰 HailinLuo Y.Wang 杜国同 
国家自然科学基金 (批准号 :60 0 770 2 1);国家重大基础研究 (No.G2 0 0 0 0 3 660 5 )资助项目
在异质结双极晶体管 (HBT)功率器件中可以引入外延生长的发射极镇流电阻 ,以改善其热稳定性 .通过理论计算和实验表明这种低掺杂的外延层不仅能作为镇流电阻 ,而且在功率
关键词：垂直发射极 HBT 异质结双极晶体管 镇流电阻 电流集边效应 
硅微波功率器件二次发射极镇流研究被引量：3
《Journal of Semiconductors》1997年第12期912-915,共4页王因生 林金庭 张树丹 
本文报道了采用多晶硅电阻和扩散电阻组合而成的复合镇流电阻对硅微波功率器件进行二次发射极镇流的实验结果．
关键词：硅微波功率器件 二次发射极镇流 镇流电阻 
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