低电阻

作品数:232被引量:386H指数:9
导出分析报告
相关领域:电气工程电子电信更多>>
相关作者:宋志棠封松林刘波王秋良程军胜更多>>
相关机构:松下电器产业株式会社国际商业机器公司株式会社半导体能源研究所中国科学院更多>>
相关期刊:更多>>
相关基金:国家自然科学基金“九五”国家科技攻关计划安徽省教育厅重点项目安徽省高校省级自然科学研究项目更多>>
-

检索结果分析

结果分析中...
选择条件:
  • 期刊=半导体信息x
条 记 录,以下是1-7
视图:
排序:
在高压碳化硅材料中实现载流子寿命增长
《半导体信息》2015年第5期30-31,共2页科信 
近日,日本研究者着眼于绝缘栅双极型晶体管(IGBTs)在轻掺杂碳化硅材料中实现了少数载流子寿命的延长。这些新型产品有望实现超过10kV的高压条件下电力的传输和分配。器件一般需要较低电阻值和相对较厚的漂移层才能实现高压条件下的运行...
关键词:碳化硅材料 少数载流子寿命 层电阻 新型产品 低电阻 开路电压 导通电阻 日本大学 最终结构 表面钝 
英国研究者在低电阻硅材料上实现高性能氮化镓器件
《半导体信息》2015年第5期23-24,共2页科信 
英国格拉斯哥大学和剑桥大学的研究员们最近表示,在低电阻硅基上成功研制出目前行业内最高频率性能的氮化镓高电子迁移率晶体管。该项技术有望实现成本较低的X波段高频应用,同时,鉴于电源管理和射频功能可逐步集成在硅基上,研究团队还...
关键词:氮化镓 低电阻 高频应用 高阻 格拉斯哥大学 移动通信领域 信号耦合 
VisIC发布行业内最低电阻的650V氮化镓功率转换开关
《半导体信息》2015年第4期15-15,共1页科信 
以色列VisIC Technologies Ltd of Rehovot公司成立于2010年,是一家无生产线的功率转换器件研发机构,主要技术支撑是氮化镓金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管。该公司近期发布了一款行业内最低电阻的650V阻断电压晶体管,
关键词:氮化镓 低电阻 转换开关 高电子迁移率晶体管 功率 行业 金属绝缘体 研发机构 
TI推出NexFET N沟道功率MOSFET,可实现业界最低电阻
《半导体信息》2015年第1期2-3,共2页郑畅 
德州仪器(TI)推出其NexFET产品线11款新型N沟道功率MOSFET,其中包括具有业界最低导通电阻并采用QFN封装的25-V CSD16570Q5B和30-V CSD17570Q5B,可应用于热插拔和ORing应用。此外,TI面向低电压电池供电型应用的新型12-V FemtoFET CSD1338...
关键词:TI 低电阻 同类竞争 导通电阻 电流条件 热插拔 电源转换效率 电信应用 负载开关 批量采购 
超薄无铅封装获得重大突破
《半导体信息》2007年第1期28-29,共2页高旻洁 
关键词:无铅封装 降噪性能 剪切强度 竞争产品 低电阻 设计工程师 
超薄无铅封装获得重大突破
《半导体信息》2006年第5期23-23,共1页熊述元 
关键词:无铅封装 降噪性能 剪切强度 竞争产品 低电阻 设计工程师 
上海华虹NEC电子与AOSL共同开发功率MOSFET工艺技术
《半导体信息》2003年第1期18-19,共2页盛柏桢 
上海华虹 NEC 电子与 Alpha 以及 Omega Semiconductor(AOSL)公司合作开发了功率 MOSFET 工艺技术。该技术与其他公司的工艺技术相比较,实现了约20%的低电阻。目前,上海华虹 NEC 电子公司将在该公司上海的200mm 相对应的生产线上开发这...
关键词:工艺技术 AOSL 验证阶段 OMEGA 低电阻 ALPHA 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部