低开关损耗

作品数：47被引量：71H指数：4
导出分析报告
相关领域：电气工程电子电信更多>>
相关作者：张波林磊张犁乔明叶宗彬更多>>
相关机构：电子科技大学华中科技大学河海大学南京航空航天大学更多>>
相关期刊：《电气传动》《中国集成电路》《电机与控制学报》《唐山学院学报》更多>>
相关基金：国家自然科学基金天津市自然科学基金国家重点实验室开放基金中央级公益性科研院所基本科研业务费专项更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=电子设计工程x
共 条 记 录，以下是1-3
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
Diodes超速开关二极管提供超低漏电流
《电子设计工程》2015年第15期12-12,共1页
Diodes公司新推出的DLLFSD01x开关二极管系列为要求超低漏电流及超速开关的设计人员而设，适用于液晶显示器、便携式电子产品,以及多种电脑和消费性产品。新器件特别适用于高功率效率及低开关损耗的系统。全新DLLFSD01x开关二极管系列...
关键词：开关二极管 漏电流 超速 便携式电子产品 低开关损耗 液晶显示器 消费性产品 设计人员 
Vishay发布其E系列器件的首颗500V高压MOSFET
《电子设计工程》2014年第19期186-186,共1页
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新的500 V家族里首款MOSFET---SiHx25N50E,该器件具有与该公司600 V和650V E系列器件相同的低导通电阻和低开关损耗优点。新器件的低导通电阻和栅极电荷在高功率、高性能的消费类产品、照明...
关键词：新器件 MOSFET 低导通电阻 高压 低开关损耗 栅极电荷 开关电源 高功率 
英飞凌推出采用突破性超结技术的CoolMOS^TMC7
《电子设计工程》2013年第11期139-139,共1页
英飞凌科技股份公司进一步壮大其高压产品组合，推出采用全新650V超结MOSFET技术的CoolMOSTM C7。全新的C7产品家族针对所有标准封装实现了一流的通态电阻RDS（on）。另外，得益于低开关损耗，还可在任何负载条件下实现能效改进。
关键词：技术 突破性 RDS(ON) MOSFET 产品组合 低开关损耗 股份公司 通态电阻 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部