云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 低压化学气相淀积

低压化学气相淀积: 作品数：26被引量：46H指数：4; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：李仁锋谭刚吴嘉丽周再发徐大为更多>>; 相关机构：中国科学院微电子研究所中国工程物理研究院电子工程研究所东南大学中芯国际集成电路制造(上海)有限公司更多>>; 相关期刊：《半导体技术》《中国工程物理研究院科技年报》《赣南师范大学学报》《集成电路通讯》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金国家高技术研究发展计划河北省自然科学基金更多>>

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Si衬底上无坑洞3C-SiC的外延生长研究被引量：2: 《固体电子学研究与进展》2003年第2期135-138,共4页孙国胜王雷罗木昌赵万顺朱世荣李晋闽曾一平林兰英; 国家重点基础研究专项经费 ( G2 0 0 0 0 683);国家 863高技术研究与发展项目 ( 2 0 0 1AA3110 90 ); 在冷壁式不锈钢超高真空系统上 ,利用低压化学气相淀积 (LPCVD)方法在直径为 5 0 mm的单晶 Si(1 0 0 )和 Si(1 1 1 )晶向衬底上生长出了高取向无坑洞的晶态立方相碳化硅 (3 C-Si C)外延材料 ,利用反射高能电子衍射 (RHEED)和扫描电镜 (S...; 关键词：无坑洞立方相碳化硅低压化学气相淀积单晶硅树底 SiC 外延生长 LPCVD 宽带隙半导体材料

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