低压化学气相淀积

作品数：26被引量：46H指数：4
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相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：李仁锋谭刚吴嘉丽周再发徐大为更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所中国工程物理研究院电子工程研究所东南大学中芯国际集成电路制造(上海)有限公司更多>>
相关期刊：《半导体技术》《中国工程物理研究院科技年报》《赣南师范大学学报》《集成电路通讯》更多>>
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LPCVD氮化硅薄膜工艺研究
《集成电路通讯》2010年第2期10-14,共5页高博 
氮化硅薄膜在半导体器件制造、薄膜加工、MEMS中有着广泛的应用。利用低压化学气相淀积（LPCVD）技术，在800℃温度下，不同的工艺气体流量比生成的氮化硅薄膜，其薄膜成份中的硅氮比会有不同，造成薄膜特性也不同。通过测试氮化硅薄膜...
关键词：低压化学气相淀积(LPCVD) 氮化硅 均匀性 
LPCVD制备氮化硅薄膜工艺被引量：3
《集成电路通讯》2008年第2期18-21,共4页简崇玺 
氮化硅(Si3N4)薄膜具有许多优良特性,在半导体、微电子和MEMS领域应用广泛。本文简要介绍了利用CVD方法制备Si3N4薄膜以及Si3N4薄膜的特性,详细介绍了低压化学气相淀积(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)LPCVD制备氮化硅的工艺...
关键词：氮化硅薄膜 低压化学气相淀积 温度 
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