数模混合

作品数：410被引量：821H指数：15
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数模混合高速集成电路封装基板协同设计与验证被引量：2
《半导体技术》2015年第7期542-546,共5页陈珊 蔡坚 王谦 陈瑜 邓智 
国家科技重大专项(2013ZX02502)
介绍了数模混合高速集成电路(IC)封装的特性以及该类封装协同设计的一般分析方法。合理有效的基板设计是实现可靠封装的重要保障,基于物理互连设计与电设计协同开展的思路,采用Cadence APD工具以及三维电磁场仿真工具实现了特定数模混...
关键词：数模混合高速集成电路(IC) 封装基板协同设计 封装基板电仿真 S参数 直流压降 
一种正电控制大衰减量的6bit单片数控衰减器被引量：5
《半导体技术》2013年第3期184-188,共5页甄建宇 王清源 赵瑞华 刘金 王凯 
分析了单片数控衰减器的衰减原理,设计了一款DC～2 GHz的大衰减量的6 bit数控衰减器。并通过数模混合设计,采用基于GaAs工艺的场效应管驱动器结构将正TTL电平转换为衰减器负的控制电平,成功实现了正电控制,对单片电路进行了仿真与优化,...
关键词：大衰减量 数控衰减器 正电控制 微波单片集成电路 数模混合 
标准CMOS工艺在高速模拟电路和数模混合电路中的应用展望
《半导体技术》2003年第4期30-32,41,共4页崔增文 何山虎 陈弘达 毛陆虹 高建玉 
从速度、集成度、功耗和成本等几个方面深入的分析了利用标准CMOS工艺来设计开发高速模拟器件和混合处理芯片的现状及发展潜力。
关键词：高速模拟电路 数模混合电路 应用展望 CMOS工艺 特征频率ft 单片系统SoC 价格 多项目晶圆 
用0.35μm CMOS工艺实现存储接口单元中的数模混合DLL被引量：1
《半导体技术》2003年第4期72-75,共4页杨丰林 沈绪榜 
论述了一种利用0.35mm、双阱、双层金属、双层多晶硅的CMOS工艺所实现的延迟锁定环(DLL)。该DLL用于RISC处理器中存储接口部件的时钟同步。本文介绍了其应用背景,给出了DLL的系统结构,接着分别介绍了鉴相器、电荷泵以及压控延迟线的电...
关键词：CMOS工艺 DLL 延迟锁定环 存储接口 压控延迟线 
一种新型的CMOS电流转换电路的设计
《半导体技术》1998年第1期19-20,24,共3页张万鹏 
提出了一种新型的ＣＭＯＳ电流转换电路的设计方法。该电路功耗小，并且具有良好的电压和电流转换特性，其改进电路具有良好的静态电流控制特性，对工艺参数（阈值电压和氧化层的厚度）依赖性较低，适用于以电流模式工作的数模混合电路。
关键词：电流转换电路 电流模式 数模混合电路 CMOS 设计 
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